[发明专利]显示屏驱动结构和显示屏驱动结构的制造方法

权利要求书

1.一种显示屏驱动结构，其特征在于，所述驱动包括：

衬底；

基于所述衬底，依次覆盖有缓冲层、栅极绝缘层、层间介电层、平坦层和像素定义层；所述缓冲层上设置有多晶硅；所述栅极绝缘层上设置有栅极；

基于所述多晶硅、所述栅极绝缘层和所述栅极，形成多个薄膜晶体管和至少一个电容；其中，所述薄膜晶体管包括驱动晶体管和开关晶体管；所述多晶硅包括第一类多晶硅、第二类多晶硅和第三类多晶硅；所述第一类多晶硅对应所述驱动晶体管；所述第二类多晶硅对应所述开关薄膜晶体管；所述第三类多晶硅对应所述电容；其中，所述第一类多晶硅是通过固相结晶SPC工艺形成的；

所述多个薄膜晶体管和至少一个电容连接。

2.根据权利要求1所述的显示屏驱动结构，其特征在于，

所述第一类多晶硅中设置有第一源区、第一漏区和第一沟道区；所述第一源区和第一漏区在所述第一沟道区两侧；所述第一源区作为第一源极；所述第一漏区作为第一漏极；

所述第二类多晶硅中设置有第二源区、第二漏区和第二沟道区；所述第二源区和第二漏区在所述第二沟道区两侧；所述第二源区作为第二源极；所述第二漏区作为第二漏极。

3.根据权利要求2所述的显示屏驱动结构，其特征在于，

所述层间介电层上设置有源漏引出极；所述源漏引出极与所述薄膜晶体管对应的源极或漏极连接；所述源极包括第一源极和第二源极；所述漏极包括第一漏极和第二漏极。

4.根据权利要求3所述的显示屏驱动结构，其特征在于，

所述第一漏极通过第一通孔与对应的第一源漏引出极连接；所述第一通孔穿过所述栅极绝缘层和所述层间介电层；

所述第一源漏引出极通过第二通孔与阳极连接；所述第二通孔穿过所述平坦层；所述阳极设置在所述平坦层上。

5.根据权利要求4所述的显示屏驱动结构，其特征在于，

所述像素定义层上设置有模柱；所述模柱位于所述阳极两侧；所述模柱用于保护所述阳极。

6.根据权利要求1至5任一项所述的显示屏驱动结构，其特征在于，所述第二类多晶硅是通过准分子激光退火结晶ELA工艺形成的。

7.根据权利要求6所述的显示屏驱动结构，其特征在于，所述第一源区和第一漏区为P型掺杂区。

8.根据权利要求7所述的显示屏驱动结构，其特征在于，所述第二源区和第二漏区为N型掺杂区。

9.根据权利要求8所述的显示屏驱动结构，其特征在于，所述第二类多晶硅还包括N型轻掺杂区；所述N型轻掺杂区在所述第二沟道区与所述第二源区之间，以及所述第二沟道区与所述第二漏区之间。

10.根据权利要求1所述的显示屏驱动结构，其特征在于，覆盖在所述第一类多晶硅上的栅极绝缘层为第一栅极绝缘层；覆盖在所述第二类多晶硅上的栅极绝缘层为第二栅极绝缘层；所述第一栅极绝缘层的厚度与所述第二栅极绝缘层的厚度不同。

11.根据权利要求10所述的显示屏驱动结构，其特征在于，

所述第一栅极绝缘层的厚度小于所述第二栅极绝缘层的厚度。

12.根据权利要求1所述的显示屏驱动结构，其特征在于，所述SPC工艺的温度为650℃～700℃。