[发明专利]显示屏驱动结构和显示屏驱动结构的制造方法有效
申请号: | 202010686929.X | 申请日: | 2020-07-16 |
公开(公告)号: | CN111834431B | 公开(公告)日: | 2023-01-13 |
发明(设计)人: | 李明阳 | 申请(专利权)人: | OPPO广东移动通信有限公司 |
主分类号: | H10K59/12 | 分类号: | H10K59/12;H10K59/121;H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 姚文娴;张颖玲 |
地址: | 523860 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示屏 驱动 结构 制造 方法 | ||
本申请实施例公开了一种显示屏驱动结构和显示屏驱动结构的制作方法,显示屏驱动结构包括:衬底;基于衬底,依次覆盖有缓冲层、栅极绝缘层、层间介电层、平坦层和像素定义层;缓冲层上设置有多晶硅;栅极绝缘层上设置有栅极;基于多晶硅、栅极绝缘层和栅极,形成多个薄膜晶体管和至少一个电容;其中,薄膜晶体管包括驱动晶体管和开关晶体管;多晶硅包括第一类多晶硅、第二类多晶硅和第三类多晶硅;第一类多晶硅对应驱动晶体管;第二类多晶硅对应开关薄膜晶体管;第三类多晶硅对应电容;其中,第一类多晶硅是通过固相结晶SPC工艺形成的;多个薄膜晶体管和至少一个电容连接。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示屏驱动结构和显示屏驱动结构的制造方法。
背景技术
近年来,人们对显示屏的显示效果的要求越来越高,显示屏通常采用有源矩阵有机发光二极管(Active-matrix Organic Light Emitting Diode,AMOLED)作为发光器件,以及基于低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon,LTPS)的薄膜晶体管(Thin FilmTransistor,TFT)用于AMOLED的驱动电路;其中,TFT包括作为驱动晶体管的TFT以及作为开关晶体管的TFT,而作为驱动晶体管的TFT通常采用准分子激光退火结晶(Excimer LaserAnneal,ELA)工艺形成多晶硅,多晶硅的均匀性不佳,从而导致显示屏的发光亮度不均。
发明内容
本申请实施例提供一种显示屏驱动结构和显示屏驱动结构的制造方法,提高了显示屏的发光亮度均匀性。
本申请的技术方案是这样实现的:
本申请实施例提供了一种显示屏驱动结构,所述显示屏驱动结构包括:
衬底;基于所述衬底,依次覆盖有缓冲层、栅极绝缘层、层间介电层、平坦层和像素定义层;所述缓冲层上设置有多晶硅;所述栅极绝缘层上设置有栅极;基于所述多晶硅、所述栅极绝缘层和所述栅极,形成多个薄膜晶体管和至少一个电容;其中,所述薄膜晶体管包括驱动晶体管和开关晶体管;所述多晶硅包括第一类多晶硅、第二类多晶硅和第三类多晶硅;所述第一类多晶硅对应所述驱动晶体管;所述第二类多晶硅对应所述开关薄膜晶体管;所述第三类多晶硅对应所述电容;其中,所述第一类多晶硅是通过固相结晶SPC工艺形成的;所述多个薄膜晶体管和至少一个电容连接。
本申请实施例提供了一种显示屏驱动结构的制造方法,所述方法包括:
在衬底上淀积缓冲层;在所述缓冲层上通过淀积工艺、结晶化工艺以及图案化工艺,形成多晶硅;在所述多晶硅上淀积栅极绝缘层;在所述栅极绝缘层上淀积栅极层,并通过图案化工艺,形成栅极;基于所述多晶硅、所述栅极绝缘层和所述栅极,形成多个薄膜晶体管和至少一个电容;所述薄膜晶体管包括驱动晶体管和开关晶体管;其中,所述多晶硅包括第一类多晶硅、第二类多晶硅和第三类多晶硅;所述第一类多晶硅对应所述驱动晶体管;所述第二类多晶硅对应所述开关薄膜晶体管;所述第三类多晶硅对应所述电容;其中,所述第一类多晶硅是通过固相结晶SPC工艺形成的;在所述栅极上淀积层间介电层;基于所述层间介电层,通过淀积工艺和图案化工艺,形成平坦层和像素定义层。
本申请实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括:
本申请实施例提供了一种显示屏驱动结构和显示屏驱动结构的制造方法,显示屏驱动结构包括:衬底;基于衬底,依次覆盖有缓冲层、栅极绝缘层、层间介电层、平坦层和像素定义层;缓冲层上设置有多晶硅;栅极绝缘层上设置有栅极;基于多晶硅、栅极绝缘层和栅极,形成多个薄膜晶体管和至少一个电容;其中,薄膜晶体管包括驱动晶体管和开关晶体管;多晶硅包括第一类多晶硅、第二类多晶硅和第三类多晶硅;第一类多晶硅对应驱动晶体管;第二类多晶硅对应开关薄膜晶体管;第三类多晶硅对应电容;其中,第一类多晶硅是通过固相结晶SPC工艺形成的;多个薄膜晶体管和至少一个电容连接;如此,驱动晶体管的第一类多晶硅为SPC工艺形成的多晶硅,改善了第一类多晶硅的厚度均匀性,从而提高了显示屏发光的均匀性。
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