[发明专利]LED显示面板及制备方法、电子设备有效
申请号: | 202010688113.0 | 申请日: | 2020-07-16 |
公开(公告)号: | CN113937122B | 公开(公告)日: | 2022-10-21 |
发明(设计)人: | 蒲洋;洪温振 | 申请(专利权)人: | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L21/683 |
代理公司: | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人: | 李发兵 |
地址: | 402760 重庆市璧*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | led 显示 面板 制备 方法 电子设备 | ||
1.一种LED显示面板制备方法,其特征在于,包括:
将多颗倒装LED芯片以电极背向基板的方式转移至所述基板上形成LED芯片层,所述LED芯片层中包括红、绿、蓝三种颜色的倒装LED芯片;
在所述LED芯片层上生长出与所述倒装LED芯片的电极电连接的TFT驱动电路层,包括:
在所述LED芯片层上设置第一平坦层,并在所述第一平坦层的远出光面侧形成电极连接线,所述第一平坦层贴合覆盖所述LED芯片层,所述远出光面侧为远离所述倒装LED芯片的出光面的一侧,所述电极连接线包括分别与所述倒装LED芯片的P电极、N电极电连接的P极连接线、N极连接线;
在所述第一平坦层上形成彼此间隔的P极走线、N极走线与栅极,所述N极走线与所述N极连接线连接;
在所述第一平坦层的远出光面侧设置栅极绝缘层,所述栅极绝缘层覆盖所述P极走线、N极走线与栅极;
在所述栅极绝缘层的远出光面侧形成彼此间隔的源极与漏极,所述漏极与所述P极连接线连接,所述源极与所述P极走线连接;
设置连接所述源极与漏极的有源层。
2.如权利要求1所述的LED显示面板制备方法,其特征在于,所述基板为透明基板,所述透明基板的一面设有粘附层,所述将多颗倒装LED芯片以电极背向基板的方式转移至所述基板上形成LED芯片层之前,还包括:
在生长基板上制备倒装LED芯片,所述倒装LED芯片的电极背向所述生长基板;
所述将多颗倒装LED芯片以电极背向基板的方式转移至所述基板上形成LED芯片层包括:
将所述生长基板上的倒装LED芯片选择性地转移至所述透明基板设有粘附层的一面,且所述倒装LED芯片的电极在所述生长基板上的朝向与在所述透明基板上的朝向一致。
3.如权利要求1或2所述的LED显示面板制备方法,其特征在于,所述在所述第一平坦层的远出光面侧形成电极连接线包括:
对所述第一平坦层与所述倒装LED芯片的电极对应的位置进行曝光、显影形成连接线设置凹槽,所述倒装LED芯片的电极外露于所述连接线设置凹槽的槽底;
在所述连接线设置凹槽处形成第一金属层,所述第一金属层的一部分位于所述连接线设置凹槽内,另一部分覆盖在所述第一平坦层的远出光面侧上;
对所述第一金属层进行图形化处理形成所述倒装LED芯片的电极连接线。
4.如权利要求1或2所述的LED显示面板制备方法,其特征在于,所述在所述第一平坦层上形成彼此间隔的P极走线、N极走线与栅极包括:
在所述第一平坦层的远出光面侧形成第二金属层;
对所述第二金属层进行图形化处理形成彼此间隔的P极走线、N极走线与栅极。
5.如权利要求1或2所述的LED显示面板制备方法,其特征在于,所述在所述栅极绝缘层的远出光面侧形成彼此间隔的源极与漏极包括:
对所述栅极绝缘层用于设置源极与漏极的区域进行曝光、显影形成源极设置凹槽与漏极设置凹槽,所述P极连接线外露于所述漏极设置凹槽的槽底,所述P极走线外露于所述源极设置凹槽的槽底;
在所述源极设置凹槽处以及所述漏极设置凹槽处形成第三金属层,所述第三金属层的一部分位于所述源极设置凹槽内,一部分位于所述漏极设置凹槽内,另一部分覆盖在所述栅极绝缘层上;
对所述第三金属层进行图形化处理形成相互隔离的源极与漏极,所述源极与所述漏极均存在部分位于所述栅极绝缘层的远出光面侧。
6.如权利要求1或2所述的LED显示面板制备方法,其特征在于,所述设置连接所述源极与漏极的有源层之后,还包括:
在所述栅极绝缘层的远出光面侧设置第二平坦层,所述第二平坦层覆盖所述栅极绝缘层、所述有源层、所述源极及所述漏极。
7.一种LED显示面板,其特征在于,所述LED显示面板采用如权利要求1-6任一项所述的LED显示面板制备方法制得。
8.一种电子设备,其特征在于,包括如权利要求7所述的LED显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的