[发明专利]LED显示面板及制备方法、电子设备有效
申请号: | 202010688113.0 | 申请日: | 2020-07-16 |
公开(公告)号: | CN113937122B | 公开(公告)日: | 2022-10-21 |
发明(设计)人: | 蒲洋;洪温振 | 申请(专利权)人: | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L21/683 |
代理公司: | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人: | 李发兵 |
地址: | 402760 重庆市璧*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | led 显示 面板 制备 方法 电子设备 | ||
本发明涉及一种LED显示面板及制备方法、电子设备,该LED显示面板制备方法中,摒弃了先分别制备驱动电路层与倒装LED芯片,再向驱动电路层转移倒装LED芯片的做法,基板上排布设置倒装LED芯片形成LED芯片层后直接在在LED芯片层上形成驱动电路层。将驱动电路层的制备过程、绑定倒装LED芯片与驱动电路层的过程结合在一起,省略了将倒装LED芯片转移并绑定到驱动电路层的过程,简化了LED显示面板的制备流程,有利于提升LED显示面板的生产效率。省略焊接绑定倒装LED芯片的过程,也能够避免驱动电路层因高温影响而变形的问题,进一步维护了LED显示面板的品质。
技术领域
本发明涉及显示领域,尤其涉及一种LED显示面板及制备方法、电子设备。
背景技术
制备LED显示面板时,对于在生长基板上制备完成的LED芯片,在经过转移、扩晶等一系列流程后会被转移到驱动背板上,并通过高温熔融凸点金属(Bump)或凸点下金属(Under bump metal,UBM)实现与驱动背板的绑定。这样的LED显示面板制备流程复杂,尤其是高温熔融Bump来对LED芯片的电极进行焊接的过程中,容易出现LED芯片偏移、旋转、倾斜等现象,从而导致LED显示面板品质不佳的问题。
因此,如何简化LED显示面板制备流程,提升LED显示面板的品质是亟需解决的问题。
发明内容
鉴于上述相关技术的不足,本申请的目的在于提供一种LED显示面板及制备方法、电子设备,旨在解决相关技术中LED显示面板制备流程复杂,LED显示面板品质差的问题。
一种LED显示面板制备方法,包括:
将多颗倒装LED芯片以电极背向基板的方式转移至基板上形成LED芯片层,LED芯片层中包括红、绿、蓝三种颜色的倒装LED芯片;
在LED芯片层上生长出与倒装LED芯片的电极电连接的驱动电路层。
上述LED显示面板制备方法,摒弃了先分别制备驱动电路层与倒装LED芯片,再向驱动电路层转移倒装LED芯片的做法,并不预先制备驱动基板,而是先在基板上按照电极背向基板的方式排布设置好倒装LED芯片,形成LED芯片层,然后才在LED芯片层上生长出与各倒装LED芯片的电极电连接的驱动电路层。这样将驱动电路层的制备过程、绑定倒装LED芯片与驱动电路层的过程结合在一起,省略了将倒装LED芯片转移并绑定到驱动电路层的过程,简化了LED显示面板的制备流程,有利于提升LED显示面板的生产效率。同时,因为是直接在LED芯片层上生长出驱动电路层,因此,不需要通过高温熔融Bump的方式来对倒装LED芯片进行焊接,避免了倒装LED芯片绑定过程中对位不准确等问题,有利于提升LED显示面板生产的良品率。而且,省略焊接绑定倒装LED芯片的过程,也能够避免驱动电路层因高温影响而变形的问题,进一步维护了LED显示面板的品质。
可选地,基板为透明基板,透明基板的一面设有粘附层,将多颗倒装LED芯片以电极背向基板的方式转移至基板上形成LED芯片层之前,还包括:
在生长基板上制备倒装LED芯片,倒装LED芯片的电极背向生长基板;
所述将多颗倒装LED芯片以电极背向基板的方式转移至所述基板上形成LED芯片层包括:
将生长基板上的倒装LED芯片选择性地转移至透明基板设有粘附层的一面,且倒装LED芯片的电极在生长基板上的朝向与在透明基板上的朝向一致。
上述LED显示面板制备方法中,制备驱动电路层以前,先将倒装LED芯片转移、并排布到带有粘附层的透明基板上,这样不仅完成了倒装LED芯片的选择性转移,而且在LED显示面板制备完成后,可以直接采用透明基板作为LED显示面板制备中对LED芯片层进行保护的保护层,更进一步简化了LED显示面板的制备流程。
可选地,在LED芯片层上生长出与倒装LED芯片的电极电连接的驱动电路层的方式包括以下两种中的任意一种:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的