[发明专利]一种微显示装置及其制造方法

权利要求书

1.一种微显示装置，包括显示芯片以及驱动所述显示芯片的驱动芯片，其特征在于：所述的显示芯片包括阵列排布的若干像素单元，各所述像素单元均包括沿出光方向依次层叠布置第一LED发光单元、第一量子点发光材料、第二LED发光单元、第二量子点发光材料以及第三LED发光单元，所述的第一量子点发光材料、第二量子点发光材料以及第三LED发光单元发出的光在出光方向上混合形成混合光。

2.根据权利要求1所述的微显示装置，其特征是：至少部分所述的第一LED发光单元、至少部分第一量子点发光材料、至少部分第二LED发光单元、至少部分第二量子点发光材料以及至少部分第三LED发光单元在垂直于出光方向的平面上的投影重叠。

3.根据权利要求1所述的微显示装置，其特征是：所述的第一量子点发光材料的出光侧形成有第一膜层，所述的第一膜层对所述的第一量子点发光材料的发出的光具有高透过率，对于所述第一LED发光单元发出的光具有高反射率，所述的第二量子点发光材料的出光侧形成有第二膜层，所述的第二膜层对所述的第一量子点发光材料和第二量子点发光材料发出的光具有高透过率，对于所述第二LED发光单元发出的光具有高反射率。

4.根据权利要求3所述的微显示装置，其特征是：所述的第一量子点发光材料被配置成受激后发射大于第一波长λ₁的光，所述的第二量子点发光材料被配置成受激后发射大于第二波长λ₂的光，所述第一LED发光单元发射大于第三波长λ₃的光，所述第二发光单元发射大于第四波长λ₄的光，λ₃＜λ₂＜λ₁，λ₄＜λ₂＜λ₁。

5.根据权利要求3所述的微显示装置，其特征是：所述的第一量子点发光材料受激发后发出红光，所述的第一膜层为红光高透，蓝光、绿光高反膜，所述的第二量子点发光材料受激后发出绿光，所述的第二膜层为蓝光高反、红光和绿光高透膜。

6.根据权利要求3所述的微显示装置，其特征是：所述的第一膜层和第二膜层中的至少一个被配置成对反射光具有汇聚作用。

7.根据权利要求3所述的微显示装置，其特征是：所述的第一膜层为SiO₂和Ti₂O₅多层间隔复合膜，所述的第一膜层的厚度为100-50000nm，所述的第一膜层对红光的透过率大于97%，对蓝光和紫外光的反射率大于99%。

8.根据权利要求3所述的微显示装置，其特征是：所述的第二膜层为SiO₂和Ti₂O₅多层间隔复合膜，所述的第二膜层的厚度为100-50000nm，所述的第一膜层对绿光的透过率大于97%对蓝光和紫外光的反射率大于99%。

9.根据权利要求1所述的微显示装置，其特征是：所述的第一LED发光单元、第二发光单元为蓝光LED或紫外LED。

10.根据权利要求1所述的微显示装置，其特征是：所述的驱动芯片的键合表面上具有多个金属焊点，至少两个金属焊点组成一组分别与所述的像素单元对应，各所述的LED发光单元分别通过金属引线与所述金属焊点导电连接。

11.一种微显示装置的制造方法，其特征是：在一驱动芯片上沿出光方向逐层键合三层LED发光单元，在至少两层LED发光单元的出光侧分别布置量子点发光材料，使所述的LED发光单元与所述的量子点发光材料的光沿出光方向混合。

12.根据权利要求11所述的制造方法，其特征是：在垂直于出光方向的平面上，三层所述的LED发光单元与至少两层所述的量子点发光材料至少有部分投影重合。