[发明专利]一种微显示装置及其制造方法

说明书

本发明涉及一种微显示装置及其制造方法，在一驱动芯片上沿出光方向逐层键合三层LED发光单元，在至少两层LED发光单元的出光侧分别布置量子点发光材料，使所述的LED发光单元与所述的量子点发光材料的光沿出光方向混合。本发明通过将LED发光单元与量子点发光材料沿光路方向层叠设置，使不同颜色的光沿出光光路混合，从而实现像素全彩化，而由于构成像素单元的三颗LED发光单元不再横向排列，因此在像素单元面积大小不变的情况下，单颗量子点发光材料可以占用更大的面积，因此能够采用较低的制造工艺完成制造。

技术领域

本发明属于微显示技术领域，特别涉及一种微显示屏及其制造方法。

背景技术

随着制造技术的进步，越来越多的微显示装置制造技术逐渐成熟，市场需求不断扩大，涌现出OLED、Mini-LED、Micro-LED等显示技术。以Micro-LED为例，Micro-LED是指将传统LED阵列化、微缩化后定址巨量转移到电路基板上，形成超小间距LED，将毫米级别的LED长度进一步微缩到微米级，以达到超高像素、超高解析率，理论上能够适应各种尺寸屏幕的技术。由于Micro-LED具有超高解析率、画面更精细，因此适用于AR系统的显示芯片主要以Micro-LED微显示芯片为主。

Micro LED硅基微显器件的像素比较小，RBG子像素的尺寸大概为10um左右，甚至更小，这对micro-LED硅基微显的彩色化提出了比较高的要求。目前micro-LED硅基微显得彩色化一般有三种方案：

1、3D纳米棒技术实现彩色化，这种技术可以在同一衬底上同时制作RGB 三色LED，这种技术尚处于研究阶段；

2、RGB三种颜色的芯片逐层分别通过flip chip或者wafer bonding的方式bonding到硅基背板上， bonding之后再进行LED图形化，这种技术比较复杂，也尚在研究阶段；

3、通过量子点转换的方式来进行彩色化，传统的micro-LED由多个在平面内阵列排布的像素单元组成，各像素单元一般包括水平排布的3颗子像素，每颗子像素对应一颗LED发光单元，在高分辨率的要求下，只能够通过缩小量子点尺寸匹配LED大小，但是因为micro-LED 硅基微显的子像素在10um左右，而量子点打印精度只能达到30um左右，因此采用量子点膜图形化是一个巨大的挑战。

因此，市场需求一种新的彩色化方案，能够实现更高的像素密度。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明的目的是提出一种像素密度更高的彩色微显示装置。

为了实现上述发明的目的，本发明采用如下技术方案：一种微显示装置，包括显示芯片以及驱动所述显示芯片的驱动芯片，所述的显示芯片包括阵列排布的若干像素单元，各所述像素单元均包括沿出光方向依次层叠布置第一LED发光单元、第一量子点发光材料、第二LED发光单元、第二量子点发光材料以及第三LED发光单元，所述的第一量子点发光材料、第二量子点发光材料以及第三LED发光单元发出的光在出光方向上混合形成混合光。

上述技术方案中，优选的，至少部分所述的第一LED发光单元、至少部分第一量子点发光材料、至少部分第二LED发光单元、至少部分第二量子点发光材料以及至少部分第三LED发光单元在垂直于出光方向的平面上的投影重叠。

上述技术方案中，优选的，所述的第一量子点发光材料的出光侧形成有第一膜层，所述的第一膜层对所述的第一量子点发光材料的发出的光具有高透过率，对于所述第一LED发光单元发出的光具有高反射率，所述的第二量子点发光材料的出光侧形成有第二膜层，所述的第二膜层对所述的第一量子点发光材料和第二量子点发光材料发出的光具有高透过率，对于所述第二LED发光单元发出的光具有高反射率。