[发明专利]半导体装置在审
申请号: | 202010689795.7 | 申请日: | 2020-07-17 |
公开(公告)号: | CN113948119A | 公开(公告)日: | 2022-01-18 |
发明(设计)人: | 寗树梁 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | G11C7/04 | 分类号: | G11C7/04;G11C11/407;G01K15/00 |
代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孙佳胤;高翠花 |
地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置,其特征在于,包括多个存储芯片、温度检测模块,所述温度检测模块包括:
多个温度敏感单元,设置在至少部分所述存储芯片上,以检测至少部分所述存储芯片的温度;
处理单元,多个所述温度敏感单元共用所述处理单元,所述处理单元用以对至少一所述温度敏感单元的信号进行处理,所述处理单元包括校准值存储单元及校准单元,所述校准值存储单元用于存储与所述温度敏感单元对应的校准值,所述校准单元用于根据所述校准值校准所述温度敏感单元。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述校准单元为可调电阻,其与所述温度敏感单元并联,所述校准单元根据所述校准值调节电阻值,以校准所述温度敏感单元。
3.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,所述校准单元包括多个子电阻及多个开关,所述子电阻串联连接,每一所述开关至少与一个所述子电阻并联,通过改变多个所述开关的通断,来改变所述校准单元的电阻值。
4.根据权利要求3所述的半导体装置,其特征在于,根据所述校准值控制所述开关的通断。
5.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,所述温度敏感单元为二极管,所述二极管的负端与接地端电连接,所述二极管的正端与所述处理单元电连接,所述校准单元与所述二极管并联,所述校准单元的一端与接地端电连接,另一端与所述二极管的正端电连接。
6.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述温度检测模块还包括一非易失性存储单元,与所述校准值存储单元连接,用于备份所述校准值,备份在所述非易失性存储单元中的校准值能够再次载入至所述校准值存储单元中。
7.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述处理单元包括至少一控制开关,所述控制开关与所述温度敏感单元电连接,以选择需要被处理单元进行信号处理的所述温度检测单元。
8.根据权利要求7所述的半导体装置,其特征在于,所述处理单元还包括定值电阻,所述定值电阻具有第一端及第二端,所述第一端与电源电连接,所述第二端与所述控制开关电连接。
9.根据权利要求8所述的半导体装置,其特征在于,所述处理单元还包括A/D转换模块,所述A/D转换模块具有输入端及输出端,所述输入端与定值电阻的第二端电连接,所述输出端用于输出数字信号,所述A/D转换模块用于将所述定值电阻第二端的模拟信号转换为数字信号。
10.根据权利要求9所述的半导体装置,其特征在于,所述A/D转换模块包括:电阻单元,具有第一端及第二端,所述电阻单元的第一端与电源电连接,所述电阻单元的第二端与接地端电连接,所述电阻单元具有多个引出端,每一引出端的电压不同;
多个比较单元,所述A/D转换模块输入端的信号作为所述比较单元的输入信号,所述电阻单元的多个引出端信号分别作为多个所述比较单元的参考信号,所述比较单元输出数字信号。
11.根据权利要求10所述的半导体装置,其特征在于,所述A/D转换模块还包括编码器,所述编码器接收所述比较单元的输出信号,并进行编码。
12.根据权利要求11所述的半导体装置,其特征在于,所述A/D转换模块还包括输出器,所述输出器与所述比较单元连接,用于将所述数字信号输出。
13.根据权利要求10所述的半导体装置,其特征在于,所述电阻单元包括多个串联连接的子电阻,所述电阻单元的每一引出端与所述电阻单元的第二端之间间隔的子电阻的数量不同,以使每一引出端的电压不同。
14.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述温度敏感单元与所述存储芯片一一对应,在每一所述存储芯片上均设置有一个所述温度敏感单元。
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