[发明专利]半导体装置

说明书

本发明提供一种半导体装置，其包括多个存储芯片、温度检测模块，温度检测模块包括：多个温度敏感单元，设置在存储芯片上，以检测存储芯片的温度；处理单元，多个温度敏感单元共用处理单元，处理单元用以对至少一温度敏感单元的信号进行处理，处理单元包括校准值存储单元及校准单元，校准值存储单元用于存储与温度敏感单元对应的校准值，校准单元用于根据校准值校准温度敏感单元。本发明温度检测模块检测的温度为存储芯片的启动及运行提供参考，从而避免存储芯片在低温下启动及运行，提高存储芯片写入的稳定性。另外，本发明温度敏感单元共用处理单元，使得温度检测模块占用面积小，且能够对温度敏感单元进行精确校准，提高测量准确度。

技术领域

本发明涉及存储器领域，尤其涉及一种半导体装置。

背景技术

动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是计算机中常用的半导体存储器件，其存储阵列区由许多重复的存储单元组成。每个存储单元通常包括电容器和晶体管，晶体管的栅极与字线相连、漏极与位线相连、源极与电容器相连，字线上的电压信号能够控制晶体管的打开或关闭，进而通过位线读取存储在电容器中的数据信息，或者通过位线将数据信息写入到电容器中进行存储。

温度对存储器写入存在较大影响，在低温环境中，对存储器进行写入时，存在写入时间较长，写入的稳定性不高的问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是，提供一种半导体装置，其能够检测存储芯片的温度，避免存储芯片在低温下启动及运行，缩短写入时间，提高存储芯片写入的稳定性；且温度检测模块电路结构简单，易于实现，温度敏感单元共用处理单元，使得温度检测模块占用面积小，不会对存储芯片有效面积产生影响；同时能够对温度敏感单元进行精确校准，提高温度检测的准确度。

为了解决上述问题，本发明提供了一种半导体装置，其包括多个存储芯片、温度检测模块，所述温度检测模块包括：多个温度敏感单元，设置在所述存储芯片上，以检测所述存储芯片的温度；处理单元，多个所述温度敏感单元共用所述处理单元，所述处理单元用以对至少一所述温度敏感单元的信号进行处理，所述处理单元包括校准值存储单元及校准单元，所述校准值存储单元用于存储与所述温度敏感单元对应的校准值，所述校准单元用于根据所述校准值校准所述温度敏感单元。

进一步，所述校准单元为可调电阻，其与所述温度敏感单元并联，所述校准单元根据所述校准值调节为与所述温度敏感单元对应的电阻值，以校准所述温度敏感单元。

进一步，所述校准单元包括多个子电阻及多个开关，所述子电阻串联连接，每一所述开关至少与一个所述子电阻并联，通过改变多个所述开关的通断，来改变所述校准单元的电阻值。

进一步，根据所述校准值控制所述开关的通断。

进一步，所述温度敏感单元为二极管，所述二极管的负端与接地端电连接，所述二极管的正端与所述处理单元电连接，所述校准单元与所述温度敏感单元并联，所述校准单元的一端与接地端电连接，另一端与所述二极管的正端电连接。

进一步，所述温度检测模块还包括一非易失性存储单元，与所述校准值存储单元连接，用于备份所述校准值，当所述半导体装置上电时，备份在所述非易失性存储单元中的校准值存储至所述校准值存储单元中。

进一步，所述处理单元包括至少一控制开关，所述控制开关与所述温度敏感单元电连接，以控制所述温度敏感单元的通断。

进一步，所述处理单元还包括定值电阻，所述定值电阻具有第一端及第二端，所述第一端与电源电连接，所述第二端与所述控制开关电连接。

进一步，所述处理单元还包括A/D转换模块，所述A/D转换模块具有输入端及输出端，所述输入端与定值电阻的第二端电连接，所述输出端用于输出数字信号，所述A/D转换模块用于将所述定值电阻第二端的模拟信号转换为数字信号。