[发明专利]高效率QLED结构在审
| 申请号： | 202010692210.7 | 申请日： | 2020-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN112289940A | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 大卫·詹姆斯·蒙哥马利;爱德华·安德鲁·伯尔德曼;蒂姆·米迦勒·斯米顿 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/52;H01L27/32 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 王娟 |
| 地址： | 日本国大*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高效率 qled 结构 | ||
1.一种发光层结构，其特征在于，包括：
第一光学腔，所述第一光学腔包括：
第一反射电极；
第一部分透明电极；以及
设置在所述第一反射电极与所述第一部分透明电极之间的第一发射层(EML)，所述第一发射层被配置成发射具有第一波长的光；
其中，所述第一反射电极被配置成根据所述第一波长在所述第一发射层发射的光的反射上引入第一相位偏移；以及
第二光学腔，所述第二光学腔包括：
第二反射电极；
第二部分透明电极；以及
设置在所述第二反射电极与所述第二部分透明电极之间的第二发射层，所述第二发射层被配置成发射具有第二波长的光；
其中，所述第二反射电极被配置成根据所述第二波长在所述第二发射层发射的光的反射上引入第二相位偏移，且所述第一相位偏移与所述第二相位偏移不同。
2.根据权利要求1所述的发光层结构，其特征在于，所述第一相位偏移被配置为使具有所述第一波长的光在第一模式下在所述第一光学腔中传播，所述第二相位偏移被配置为使具有所述第二波长的光在第二模式下在所述第二光学腔中传播。
3.如权利要求1或2所述的发光层结构，其特征在于，所述第一反射电极包括用于引入所述第一相位偏移的第一材料，所述第二反射电极包括用于引入所述第二相位偏移的第二材料。
4.如权利要求1或2所述的发光层结构，其特征在于，所述第一发射层和/或第二发射层包括用于光发射的量子点。
5.如权利要求1或2所述的发光层结构，其特征在于，所述第一反射电极包括第一多层，所述第二反射电极包括第二多层。
6.如权利要求5所述的发光层结构，其特征在于，所述第一多层和所述第二多层分别具有厚度在0.5nm和30nm之间的第一顶层和第二顶层。
7.如权利要求5所述的发光层结构，其特征在于，所述第一多层的每一层和所述第二多层的每一层包括银、铝、铬、锡、钛、钯、镓、铂、钨、钽、锆、导电非金属材料和干涉膜层中的至少一种层。
8.如权利要求1或2所述的发光层结构，其特征在于，所述第一反射电极的第一表面具有引入对应于所述第一波长的所述第一相位偏移的第一图案，并且所述第二反射电极的第二表面具有引入对应于所述第二波长的所述第二相位偏移的第二图案。
9.如权利要求8所述的发光层结构，其特征在于，所述第一图案和所述第二图案被配置成多个孔。
10.如权利要求8所述的发光层结构，其特征在于，所述第一图案具有与所述第一相位偏移相对应的第一尺寸、第一间隔和第一深度。
11.如权利要求8所述的发光层结构，其特征在于，所述第二图案具有与所述第二相位偏移相对应的第二尺寸、第二间隔和第二深度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于夏普株式会社，未经夏普株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010692210.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
