[发明专利]高效率QLED结构

说明书

一种发光层结构，通过改变由反射电极引入的相位偏移，最大限度地增加对光发射的相长干涉。发光层结构包括第一和第二光腔，所述第一和第二光腔包括第一和第二反射电极；第一和第二部分透明电极；以及设置在第一和第二反射电极与第一和第二部分透明电极之间的第一和第二发射层(EML)，其中，第一EML发射具有第一波长的光；其中，第一反射电极根据第一波长在第一EML发射的光的反射上引入第一相位偏移；其中，第二EML发射具有第二波长的光，并且第二反射电极根据第二波长在第二EML发射的光的反射上引入第二相位偏移，并且第一相位偏移与第二相位偏移不同。

技术领域

本发明涉及一种用于发光器件的层结构，特别是量子点(QD) 发光二极管(QLEDs)。结合本发明的QLEDs应用在显示器中，以 降低器件制造的复杂性，同时最小化离轴色偏并最大化器件效率。

背景技术

如US7324574(Kim，2008年1月29日授权)所述，光学腔在 半导体激光制造中是众所周知的。有机LEDs(OLEDs)和QLEDs 腔的应用也如US 2006/0158098(Raychaudhuri等人，2006年7月20 日公布)、US 9583727(Cho等人，2017年2月28日授权)和US 8471268 (Moon等人，2013年6月25日授权)所述是公知的。Raychaudhuri 等人描述了一种顶部发射OLED结构，Cho等人以及Moon等人描述 了具有位于其中一个为部分发射的反射区域之间的发光区域的 QLED结构。

典型地，QLED像素包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。 由于这三种子像素的发射波长不同，通常，腔的大小和形状必须不同， 以便角发射足够相似，以最小化离轴色偏。具有不同的子像素结构会 增加器件的复杂性，并导致制造的巨大成本，并且通常会在效率上做 出妥协，以获得可承受的成本。降低制造不同尺寸的子像素的复杂度 的方法包括US 2015/0340410(Hack等人，2019年3月26日公布)， 该方法描述多个子像素内具有不同光路长度的腔。

本领域中所描述的提高性能的其他变形通过增加例如粗糙化或 图案化等附加处理步骤导致提高LED中的腔结构的制造的复杂性。 例如，US2014/0151651(Jin等人，2014年6月5日公布)描述了顶 部电极的粗糙化以增强提取，US 8894243(Cho等人，2014年11月25日授权)描述了基底反射材料的图案化。前案所述的进一步变更 通过向器件添加附加层而增加了复杂性。例如，US 9219250(Jeong 等人，2015年12月22日授权)描述了具有交替的高与低反射指数 的条纹层的膜，及US2013/0009925(Ueda等人，2013年1月10日 公布)描述了具有腔外棱镜层的倾斜发射层。上述现有结构是对LED 基本腔结构的复杂补充。

为了解决设计和制造的复杂性，混合和复合电极解决方案被提 出。例如，US8378570(Yamazaki，2013年2月19日授权)在其导 体层上使用具有不同金属浓度的双层。第一层包括一种金属，第二层 通常是具有不同浓度的非金属材料(例如碳和氧)的相同的金属。双 层导体被提供以改善电荷传输并降低操作器件所需的电压。US 2013/0040516(Pruneri等人，2013年2月14日公布)描述了用于 OLED设备的三层顶部电极，其设计用于降低顶部电极的反射率。间 层是银层，顶部和底部层是非金属层，设计用于创建干涉结构，使顶 部电极的反射最小化。

发明内容