[发明专利]一种多重图形化的方法在审
| 申请号： | 202010692245.0 | 申请日： | 2020-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN112017950A | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 姜东勋;周娜;李俊杰;王佳;李琳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 佟林松 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多重 图形 方法 | ||
1.一种半导体结构的制造方法，包括：
提供半导体衬底，半导体衬底上有第一硬掩模层；
形成芯轴图案以及上方的第二硬掩模层；
形成芯轴两侧的侧墙；
在相邻两个芯轴的侧墙之间填充保护层；
将所述第二硬掩模层去除。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：
还包括，去除所述芯轴。
3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：
还包括，去除所述保护层。
4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于：
所述去除保护层，是在去除所述芯轴时被一同去除的。
5.根据权利要求1-4任意一项所述的制造方法，其特征在于：
所述形成芯轴图案以及上方的第二硬掩模层，具体是，
在所述第一硬掩模层上提供牺牲层；
在所述牺牲层表面提供第二硬掩模层；
图形化所述第二硬掩模层以暴露出所述牺牲层；
刻蚀所述牺牲层以形成芯轴图案以及上方的第二硬掩模层。
6.根据权利要求1-4任意一项所述的制造方法，其特征在于：
所述形成芯轴两侧的侧墙，具体是，
在所述芯轴侧壁表面、以及上方的第二硬掩模层表面形成侧墙层；
刻蚀侧墙层以形成芯轴两侧的侧墙，并暴露出所述第一硬掩模层和所述第二硬掩模层的表面。
7.根据权利要求1-4任意一项所述的制造方法，其特征在于：
所述在相邻两个芯轴的侧墙之间填充保护层，具体是，
在所述第一硬掩模层的表面形成保护层。
8.根据权利要求1-4任意一项所述的制造方法，其特征在于：
所述保护层采用与所述第二硬掩模层的刻蚀选择比高的材料。
9.根据权利要求1-4任意一项所述的制造方法，其特征在于：
所述保护层采用与所述芯轴相同或刻蚀选择比低的材料。
10.根据权利要求1-4任意一项所述的制造方法，其特征在于：
将所述第二硬掩模层去除，是采用干法刻蚀或湿法刻蚀。
11.根据权利要求1-4任意一项所述的制造方法，其特征在于：
所述第一硬掩模层和第二硬掩模层的材料相同，进一步的，所述材料包含氮氧化硅。
12.根据权利要求1-4任意一项所述的制造方法，其特征在于：
所述芯轴包含旋涂碳材料。
13.根据权利要求1-4任意一项所述的制造方法，其特征在于：
所述保护层包含光刻胶和/或旋涂碳材料。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司，未经中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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