[发明专利]一种多重图形化的方法

说明书

本申请涉及半导体结构的制造方法多重图形化方法，本申请中在多重图形化方法的侧墙结构制程工艺中，在进行刻蚀侧墙层后形成了一层保护层以对下面的掩模层进行保护，从而避免后续的刻蚀工序对掩模层产生不期望的损失而导致的尺寸偏移现象。

技术领域

本申请涉及半导体器件的制造方法，特别是一种多重图形化的方法。

背景技术

在半导体制造工艺中，光刻(photolithography)是常用的一种图形化方法。然而光刻工艺会限制所形成的图形的最小节距(pitch)，因而也限制了集成电路向更小尺寸、更高密度方向的发展。

多重图形化技术，包括双重图形化(Double Patterning Technology，DPT)、四重图形化(Quadrable Patterning Technology)等，都是一种能够使光刻工艺克服光刻分辨率极限的方法。例如，双重图形化主要包含两种传统的方法：微影-刻蚀-微影-刻蚀(Litho-Etch-Litho-Etch，LELE)和自对准双重图形化(Self-aligned Double Patterning,SADP)。

然而，现有技术形成的双重图形容易发生变形，特别是侧墙两侧的形状深度不同，影响后续刻蚀目标层形成的刻蚀图形的准确性。

发明内容

本申请的目的是通过以下技术方案实现的：

根据一个或多个实施例，本申请公开了一种半导体结构的制造方法，包括：

提供半导体衬底，半导体衬底上有第一硬掩模层；

形成芯轴图案以及上方的第二硬掩模层；

形成芯轴两侧的侧墙；

在相邻两个芯轴的侧墙之间填充保护层；

将所述第二硬掩模层去除。

本申请的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者，部分特征和优点可以从说明书中推知或毫无疑义地确定，或者通过实施本申请实施例了解。本申请的目的和其他优点可通过在所写的说明书、权利要求书、以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明

通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本申请的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：

图1a-图1g是本申请实施方式的双重图形化的制造方法中形成侧墙结构的示意图。

具体实施方式

下文将参照附图更完全地描述本申请，在附图中显示本申请的实施例。然而，本申请不局限于在这里阐述的实施例。相反地，提供这些实施例以便彻底地并完全地说明，并完全地将本申请的范围传达给本领域的技术人员。在附图中，为了清楚起见可能夸大了层和区域的厚度。全文中相同的数字标识相同的元件。如这里所使用的，术语“和/或”包括相关所列项目的一个或多个的任何和所有组合。

这里所使用的术语仅仅是为了详细的描述实施例而不是想要限制本申请。如这里所使用的，除非本文清楚地指出外，否则单数形式“一”、“该”和“所述”等也包括复数形式。还应当理解的是说明书中使用的术语“包括”说明所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但是不排除一个或多个其他的特征、整体、步骤、操作、元件、部件、和/或其组合的存在或者增加。