[发明专利]一种钝化接触太阳能电池的制备方法在审
| 申请号： | 202010693126.7 | 申请日： | 2020-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN111816732A | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 唐文帅;张俊兵;尹海鹏 | 申请（专利权）人： | 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 北京天达知识产权代理事务所(普通合伙) 11386 | 代理人： | 姚东华 |
| 地址： | 225009 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 钝化 接触 太阳能电池 制备 方法 | ||
1.一种钝化接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：
在掺杂后的硅片的第一表面形成氧化保护层，所述硅片的第一表面包括所述硅片一面的掺杂面和所述硅片的侧面。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述氧化保护层包括：氧化硅、氧化钛和氮氧化硅中的一种单层膜或几种的叠层膜。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述形成氧化保护层之后，所述方法还包括：
在所述硅片的另一面制备一层超薄钝化介质层，以及
在硅片的第二表面形成硅薄膜，所述第二表面包括所述硅片的侧面的氧化保护层表面和所述硅片的另一面的超薄钝化介质层表面。
4.根据权利要求1-3所述的方法，其特征在于，在所述形成硅薄膜之后，所述方法还包括：
对所述硅薄膜进行硼掺杂或磷掺杂，所述硼掺杂或磷掺杂浓度为1.0E19atoms/cm3-2.0E21atoms/cm3。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，
所述超薄钝化介质层包括：氧化硅、氧化钛和氮氧化硅中的一种单层膜或几种的叠层膜。
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述硅薄膜进行掺杂之后，还包括：对掺杂后的硅薄膜进行退火。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述退火之后，所述方法还包括：去除所述硅片一面的掺杂面上的氧化保护层。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述去除所述硅片一面的掺杂面上的氧化保护层之后，所述方法还包括：
制备钝化减反膜；
在包覆所述钝化减反膜的硅片上制备电极。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，
所述钝化减反膜覆盖所述硅片的整个表面。
10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，
所述钝化减反膜包括：氧化硅、氧化钛和氮氧化硅中的一种单层膜或几种的叠层膜。
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