[发明专利]一种钝化接触太阳能电池的制备方法

说明书

本发明涉及一种钝化接触太阳能电池的制备方法，涉及太阳能电池制造领域，所述方法包括：在掺杂后的硅片的第一表面形成氧化保护层，所述硅片的第一表面包括所述硅片一面的掺杂面和所述硅片的侧面。本发明提供的技术方案既可以简化工艺，又能提高太阳能电池的产能。

技术领域

本发明涉及太阳能电池制造领域，尤其涉及一种钝化接触太阳能电池的制备方法。

背景技术

晶体硅太阳电池钝化接触的主要工艺过程为在硅片表面生成超薄的氧化层，并在氧化层上生长的一层掺杂的晶硅薄膜，随后对晶硅薄膜进行掺杂。在上述过程中，难免的会在另一面以及边缘形成绕镀，从而导致硅片边缘也会发生掺杂，进而引发电池的漏电。

为了降低边缘漏电，通常在高温激活工艺前增加一步退火前清洗或者干刻工艺，用来降低边缘绕镀的掺杂量从而降低边缘漏电。

然而，增加工艺步骤就意味着降低太阳能电池的产能，甚至可能会降低太阳电池的质量。

发明内容

鉴于上述的分析，本发明旨在提供一种钝化接触太阳能电池的制备方法，简化工艺，并提高太阳能电池的产能。

本发明的目的主要是通过以下技术方案实现的：

本发明实施例提供了一种钝化接触太阳能电池的制备方法，包括：

在掺杂后的硅片的第一表面形成氧化保护层，所述硅片的第一表面包括所述硅片一面的掺杂面和所述硅片的侧面。

进一步地，所述氧化保护层包括：氧化硅、氧化钛和氮氧化硅中的一种单层膜或几种的叠层膜。

进一步地，在所述硅片的另一面制备一层超薄钝化介质层，以及

在硅片的第二表面形成硅薄膜，所述第二表面包括所述硅片的侧面的氧化保护层表面和所述硅片的另一面的超薄钝化介质层表面。

进一步地，对所述硅薄膜进行硼掺杂或磷掺杂，所述硼掺杂或磷掺杂浓度为1.0E19atoms/cm³-2.0E21atoms/cm³。

进一步地，所述超薄钝化介质层包括：氧化硅、氧化钛和氮氧化硅中的一种单层膜或几种的叠层膜。

进一步地，对掺杂后的硅薄膜进行退火。

进一步地，去除所述硅片一面的掺杂面上的氧化保护层。

进一步地，制备钝化减反膜；

在包覆所述钝化减反膜的硅片上制备电极。

进一步地，所述钝化减反膜覆盖所述硅片的整个表面。

进一步地，所述钝化减反膜包括：氧化硅、氧化钛和氮氧化硅中的一种单层膜或几种的叠层膜。

本发明技术方案的有益效果：

1、本发明提供了一种钝化接触太阳能电池的制备方法，在掺杂面和硅片侧面上形成氧化保护层，如此在对硅片背面进行掺杂时，不会污染掺杂面；

2、在对晶硅薄膜进行掺杂时，由于边缘绕镀，会在掺杂面和掺杂面边缘形成掺杂相，该掺杂相的导电特性与在掺杂面和掺杂面边缘的导电特性相反。而氧化保护层使得边缘绕镀不会在掺杂面边缘和硅片侧面上形成与掺杂面电性相反的掺杂层，由此大大降低了由于边缘不同导电特性n+、p+相接触导致的漏电。

3、由于晶硅薄膜的导电特性与掺杂面的导电特性相反，氧化保护层将硅片的侧面与晶硅薄膜隔离开，从而防止在硅片的侧面出现短路的情况。