[发明专利]红外热堆传感器及其制作方法

权利要求书

1.一种红外热堆传感器的制作方法，其特征在于，包括：

提供第一基板，所述第一基板包括第一区和第二区，所述第一基板具有相对的第一表面和第二表面；

在所述第一区第一表面形成热电堆结构；

在所述第二区第一表面形成热敏电阻结构；

自所述第二表面刻蚀所述第一基板，在第一区形成热辐射隔离槽。

2.如权利要求1所述的红外热堆传感器的制作方法，其特征在于，所述热敏电阻结构包括：单层膜结构或者多层膜结构，所述热敏电阻结构为多层膜结构时，各膜层的材料不同或掺杂浓度不同。

3.如权利要求1所述的红外热堆传感器的制作方法，其特征在于，所述热电堆结构包括：第一电极和第二电极；

所述热敏电阻结构为单层膜结构；形成第一电极时或形成第二电极时，形成所述热敏电阻结构。

4.如权利要求1所述的红外热堆传感器的制作方法，其特征在于，所述热敏电阻结构的材料与所述第一电极、或第二电极的材料相同。

5.如权利要求1所述的红外热堆传感器的制作方法，其特征在于，所述热电堆结构包括：第一电极和第二电极；

所述热敏电阻结构为两层结构；形成第一电极时和形成第二电极时，分别形成所述热敏电阻结构的相应膜层。

6.如权利要求1所述的红外热堆传感器的制作方法，其特征在于，所述热敏电阻结构的材料包括锰、铜、硅、钴、铁、镍、锌等一种、两种或两种以上的金属或金属氧化物；或者含重金属掺杂的半导体层，所述重金属掺杂的离子为：铝、铜、金、铂、银、镍、铁、锰、钼、钨、钛、锌、汞、镉、铬及钒中的一个或多个。

7.如权利要求1所述的红外热堆传感器的制作方法，其特征在于，所述热敏电阻的形状包括蛇形排布或者螺旋状排布的线状面电极。

8.如权利要求2所述的红外热堆传感器的制作方法，其特征在于，所述热电堆结构的形成方法包括：

在所述第一基底上形成第一电极材料层；图形化所述第一电极材料层，形成多个分立的所述第一电极，相邻所述第一电极之间具有第一沟槽；

在所述第一基底和所述第一电极上形成阻挡层，所述阻挡层覆盖所述第一电极且填充满所述第一沟槽；图形化所述阻挡层，形成第二沟槽，所述第二沟槽暴露出部分第一电极表面；

在所述第二沟槽内和所述阻挡层上形成第二电极材料层；图形化所述第二电极材料层，形成多个分立的所述第二电极；

相邻的所述热电偶对的所述第一电极和所述第二电极相互电连接形成多组所述热电偶对，所述热电偶对间的电连接方式为串连。

9.如权利要求3所述的红外热堆传感器的制作方法，其特征在于，所述第一电极和/或第二电极的材料包括：掺杂半导体材料或者金属材料，所述掺杂离子包括：P型离子或N型离子，所述金属的材料包括：钼、铝、铜、钨、钽、铂、钌、铑、铱、铬、钛、金、锇、铼、钯。

10.如权利要求3所述的红外热堆传感器的制作方法，其特征在于，所述热敏电阻结构为单层结构；形成第一电极时或形成第二电极时，形成所述热敏电阻结构。

11.如权利要求1所述的红外热堆传感器的制作方法，其特征在于，所述热电堆结构还包括：第一互连结构，所述第一互连结构电连接所述热电堆结构；

所述第一互连结构的形成方法包括：

在所述第一基板第一表面形成介质层，所述介质层覆盖热电堆结构；

刻蚀所述介质层，形成暴露出热电堆结构的开口；

在所述开口内和介质层上形成与热电堆结构互连的第一互连结构。

12.如权利要求6所述的红外热堆传感器的制作方法，其特征在于，形成所述第一互连结构的过程中形成所述热敏电阻结构。