[发明专利]一种SIP叠层结构

权利要求书

1.一种SIP叠层结构，其特征在于，包括管壳(10)、键合引线柱(20)、功率基板(30)、功能基板(50)和至少三根功能引线柱(40)，所述键合引线柱(20)和所述功率基板(30)均固定于所述管壳(10)的底壁上，且所述功率基板(30)与所述键合引线柱(20)通过键合的方式连接；

至少三根所述功能引线柱(40)均垂直穿设并固定连接所述管壳(10)的所述底壁，每根所述功能引线柱(40)包括位于所述管壳(10)内的内引线柱(41)和位于所述管壳(10)外、与所述内引线柱(41)相连的外引线柱(42)；

所述功能基板(50)与至少两根所述功能引线柱(40)的所述内引线柱(41)固定连接，并与所述功率基板(30)或至少一根所述功能引线柱(40)的所述内引线柱(41)电连接；

所述管壳(10)的所述底壁上设有限位凹槽(11)，所述功率基板(30)固定于所述限位凹槽(11)中；

还包括所有所述功能引线柱(40)的所述内引线柱(41)中包括至少两种高度，所述功能基板(50)通过其中一个高度为Hx的所述内引线柱(41)进行限位，并与高度为Hx的剩余所述内引线柱(41)中的至少一个和/或高度大于Hx的至少一个所述内引线柱(41)固定连接；

所述功能基板(50)的数量为多个，多个所述功能基板(50)沿着所述功能引线柱(40)的长度方向层叠设置。

2.根据权利要求1所述的SIP叠层结构，其特征在于，所述限位凹槽(11)和所述功率基板(30)的数量均为多个，多个所述功率基板(30)一一对应地固定于多个所述限位凹槽(11)中。

3.根据权利要求1或2所述的SIP叠层结构，其特征在于，所述功率基板(30)焊接或者粘接于所述限位凹槽(11)的内壁上。

4.根据权利要求1所述的SIP叠层结构，其特征在于，所述功能引线柱(40)由金属与陶瓷或玻璃烧结形成；和/或，所述管壳(10)由陶瓷材料制成。

5.根据权利要求1所述的SIP叠层结构，其特征在于，所述功率基板(30)包括第一电路板、第一芯片(31)、若干第一器件(32)和若干第一电连接件(33)，所述第一芯片(31)和所述第一器件(32)均电连接于所述第一电路板上，所述第一芯片(31)通过所述第一电连接件(33)连接所述功能基板(50)或通过键合方式连接所述键合引线柱(20)。

6.根据权利要求1所述的SIP叠层结构，其特征在于，所述功能基板(50)包括第二电路板、第二芯片(51)、若干第二器件(52)和若干第二电连接件，所述第二电路板与所述功率基板(30)电连接，所述第二芯片(51)和所述第二器件(52)均电连接于所述第二电路板上，所述第二芯片(51)能通过所述第二电连接件连接所述内引线柱(41)或所述功率基板(30)。

7.根据权利要求6所述的SIP叠层结构，其特征在于，所述功能基板(50)通过所述第二电路板与至少两根所述功能引线柱(40)的所述内引线柱(41)焊接或粘接。