[发明专利]单片木耳的培植方法

权利要求书

1.单片木耳的培植方法，其按照如下步骤进行培植：

配制培养基，培养基混料、消毒、装袋，得到培养桩；

培养桩打孔；

接种；

催芽；

分床；

保温、保湿、避光培植；

其特征在于，所述培养桩打孔采用钢钉打孔，催芽期间保持温度15-20℃，温度由15℃持续上升到20℃，催芽期间每两天翻倒培养桩一次。

2.根据权利要求1所述的单片木耳的培植方法，其特征在于，催芽期间温度由15℃每天上升1℃，上升至20℃后，维持20℃温度下2-3天。

3.根据权利要求1所述的单片木耳的培植方法，其特征在于，培养桩打孔用直径0.4-0.6cm的钢钉刺孔，培养桩口径16.5×33cm，高度为18-20cm，打孔数量为100-140。

4.根据权利要求1所述的单片木耳的培植方法，其特征在于，接种时所选择的菌种，选择片状、黑厚、圆边、碗型、少筋、耐高温高湿，且出耳较快的优良菌种。

5.根据权利要求1所述的单片木耳的培植方法，其特征在于，芽体长到两厘米的以上，进行分床，一般培养桩的距离保持在8-15cm。

6.根据权利要求1所述的单片木耳的培植方法，其特征在于，培植期间温度20-22℃，空气相对湿度90%～95%。