[发明专利]电容器

说明书

本发明公开一种电容器，包括实心导电板、第一电极以及第二电极。实心导电板被配置在芯片的底材的上方。此实心导电板作为电容器的下板。第一电极被配置在所述实心导电板的上方，使得实心导电板位于底材与第一电极之间。此第一电极作为电容器的上板。第二电极被配置在实心导电板的上方，以及被配置在第一电极旁。第二电极电连接至所述实心导电板。

技术领域

本发明涉及一种集成电路，且特别是涉及一种电容器。

背景技术

电容器被广泛应用于各种集成电路中。电容器可以用各种结构来实现。例如，电容器结构可以包括指叉式(interdigitated fingers)结构，以产生边缘电容(fringingcapacitance)。一般而言，电容器结构被配置在芯片的底材(substrate)上方，而底材接地。电容器的上板(top plate)与底材之间存在非期望的寄生电容(parasitic capacitor)。这个寄生电容会影响(降低)电容器的有效容值。

需注意的是，“背景技术”段落的内容是用来帮助了解本发明。在“背景技术”段落所揭露的部分内容(或全部内容)可能不是本领域的普通技术人员所知道的公知技术。在“背景技术”段落所揭露的内容，不代表该内容在本发明申请前已被本领域的普通技术人员所知悉。

发明内容

本发明是针对一种电容器，使电容器的上板(top plate)与底材之间的寄生电容(parasitic capacitor)可以尽可能地小。

根据本发明的实施例，电容器包括实心导电板、第一电极以及第二电极。实心导电板被配置在芯片的底材(substrate)的上方。此实心导电板作为电容器的下板(bottomplate)。第一电极被配置在所述实心导电板的上方，使得实心导电板位于底材与第一电极之间。此第一电极作为电容器的上板。第二电极被配置在实心导电板的上方，以及被配置在第一电极旁。第二电极电连接至所述实心导电板。

基于上述，本发明的实施例所述电容器利用下板(实心导电板)当作屏蔽(shielding)层。实心导电板可以有效地减少电容器的上板与芯片的底材之间的寄生电容(parasitic capacitor)。

附图说明

图1是本发明的一实施例绘示一种电容器的布局结构的分解示意图；

图2是本发明的一实施例绘示一种电容器的布局结构的剖面示意图；

图3是本发明的另一实施例绘示一种电容器的布局结构的分解示意图；

图4是本发明的另一实施例绘示一种电容器的布局结构的剖面示意图；

图5是本发明的又一实施例绘示一种电容器的布局结构的俯视示意图；

图6是本发明的另一实施例绘示一种电容器的布局结构的剖面示意图；

图7是本发明的再一实施例绘示一种电容器的布局结构的俯视示意图。

附图标记说明

10:底材；

11:第一导电层；

12:第二导电层；

13:第三导电层；

100、300、500、700:电容器；

111、112、113、114:实心导电板；

121、123、125、127:第一电极；

122、124、126、128:第二电极；

125、129:导线；

131、132、133、151:上导电板；

134:第三电极；