[发明专利]一种氯硝盐制备导体铜的方法在审
申请号: | 202010698651.8 | 申请日: | 2020-07-20 |
公开(公告)号: | CN112095122A | 公开(公告)日: | 2020-12-18 |
发明(设计)人: | 丁义存;祭刚;丁奇伟 | 申请(专利权)人: | 甘肃聚国源新材料有限公司 |
主分类号: | C25C1/12 | 分类号: | C25C1/12;C25C7/06 |
代理公司: | 北京成实知识产权代理有限公司 11724 | 代理人: | 张焱 |
地址: | 733000 甘肃省武威市凉州区北至*** | 国省代码: | 甘肃;62 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 硝盐 制备 导体 方法 | ||
1.一种氯硝盐制备导体铜的方法,其特征在于,为以下步骤:
1)吸收氯硝盐气体的原料连续均匀地加入到由上到下10-25°倾斜的反应室中,原料由上端加入;
2)在反应室上加装振动器,使反应室发生一定频率运动,反应室底面上设置一定密度细长条状或点状齿牙,使溶液不产生沉淀阳极泥;
3)控制原料加入速度,使反应室的底面上至少三分之二的面积布满原料;
4)反应室外壁四周设置增大原料与氯硝盐之间接触面积的装置,在磁场作用下固定原料,使原料不飞溅起来;
5)控制反应温度,当温度过高时,引入排气管放出的不参与反应的气体来稀释反应物浓度的方式来控制,使得反应体系温度保持20-23℃,反应时采用微辐射或电热的方式提供能量给反应系统;
6)氯硝盐体积浓度达到12%以上时,启动反应的入口处温度需要控制在23℃以下,氯硝盐体积浓度低至不足1%时,启动反应的入口处温度需要控制在20-23℃之间;
7)控制氯硝盐气流进入速度,使氯硝盐气体与原料充分反应,不使原料飞溅或沉淀,气体流速不高于2M/N2.S;
8)控制反应室温度为20-26℃,使氯硝盐化合物气体从上口流出,流出的氯硝盐化合物气体进入冷却分离器,冷却到18-20℃,收集并循环继续使用;
9)混合气体中的氯氧气与原料反应生成氧化物固体,在持续加入的原料推动下,从反应室最低端的出口排出,从而制备得到高纯铜。
2.根据权利要求1所述的一种氯硝盐制备导体铜的方法,其特征在于:所述步骤(1)的原料为铜原料。
3.根据权利要求1所述的一种氯硝盐制备导体铜的方法,其特征在于:所述步骤(1)的反应室由耐热1000℃以上且耐氯硝盐腐蚀的材料制成。
4.根据权利要求1所述的一种氯硝盐制备导体铜的方法,其特征在于:反应结束后未反应完全的原料,通过二次回流的方法溶解成溶液再利用。
5.根据权利要求1所述的一种氯硝盐制备导体铜的方法,其特征在于:反应室的末端处理段保持温度为20-30℃,分离出超纯铜成品后的氯硝盐气体经吸收处理后外排到下一道工序使用。
6.根据权利要求1所述的一种氯硝盐制备导体铜的方法,其特征在于:反应室为一个单独的反应室或者上下叠加放置多个反应室,整个废氯硝盐气处理系统的设备保持密封连接。
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