[发明专利]一种半导体电极材料的加工方法

说明书

本发明属于电极生产技术领域，具体涉及一种半导体电极材料的加工方法，包括如下步骤：1)灌胶；2)切割；3)双面磨片；4)去胶；5)端面腐蚀；6)抛光；本发明实现了标准化、批量化生产，其生产周期短，效率高。

技术领域

本发明属于电极生产技术领域，具体涉及一种半导体电极材料的加工方法。

背景技术

钨具有熔点高、高温强度好、热电子发射能力强等特点,很早就被用作热电子发射材料。钨基热电子发射材料是一种关键工业材料,常用作电子设备阴极和氩弧焊接电极。钨电极广泛应用于惰性气体保护焊、等离子体焊接、切割、热喷涂以及电真空等领域。

目前，采用钨电极或者钼电极制成半导体器件的研究正在发展中，如专利公开号CN103681671B《具有钨栅电极的半导体器件及其制造方法》等，但目前关于钨电极或钼电极的生产制造方法研究较少，并且由于钨电极产品受限于国家标准《电弧焊和等离子焊接、切割用钨电极》制定之前，钨电极产品相关标准主要有国际标准ISO6848—2004(E)《电弧焊和切割.非自耗钨电极.分类》等标准，这使得大批量化制备电极片、低成本制作的工艺罕见。

另一方面，钼的导热性和导电性好，热膨胀系数低，通常可以做成板、棒、球等形状，但钼电极单根尺寸小，钼电极长度较短，无法批量生产大单重大规格的钼电极，易造成钼丝的质量问题，因此找寻一种成品率高、大批量制作钼电极的方法尤为重要。

目前，钼电极加工的方法是木杆原料用自制砂轮切割机Φ140㎜×0.4㎜的环氧树脂砂轮片切割成所需颗粒并留研磨量，通过人工将切割好的钼电极组装在圆环里，将装好的钼电极放在加热板上加热至140℃，用混合胶粘接若干钼电极片后进行研磨工序，此方法费工费力，材料消耗大。

发明内容

本发明针对现有技术的不足，提出了一种利用半导体电极材料制作电极片的方法。

具体是通过以下技术方案来实现的：

一种半导体电极材料的加工方法，包括如下步骤：

1)灌胶；2)切割；3)双面磨片；4)去胶；5)端面腐蚀；6)抛光。

所述半导体电极材料为钨电极材料、钼电极材料、钨钼合金中任意一种。

所述灌胶是先将混合粘胶加热调匀，制得熔融态的混合粘胶，然后将熔融态的混合粘胶灌进装有半导体电极杆的铁管中，经加压、排气，使得混合粘胶填充半导体电极杆间的缝隙。

所述混合粘胶由松香和虫胶按(4.5-5)：(3.5-4)的质量比混合后，加热至150-160℃后搅拌制成混合胶。

所述灌胶，其温度为140℃。

所述切割，其工艺条件为：切割钢线为0.16㎜的镀铜钢丝，切割砂为1000号碳化硅微粉，切割油为DX-悬浮切割油；切割砂浆由切割油、切割砂按(1～1.5)：(0.8～1)的比例混合而成，切割线速度为：0.1～0.5㎜/min。

所述去胶，是将半导体电极片放入水中加热，然后按照水：去胶材料＝10:1的质量比加入去胶材料，煮沸后保温，再用自来水冲洗至表面无杂质。

所述去胶材料为氢氧化钠。

所述端面腐蚀是采用硝酸对电极腐蚀1-2min，重复操作，清水洗净后，千分尺抽检电极，较腐蚀前高度尺寸小于0.01～0.015㎜即完成端面腐蚀。

所述抛光，其工艺条件：抛光液滚抛2-3h，抛光液由去污粉、水按(1-3)：100的质量比混合而成。本发明所述的加工方法可适用于半导体绝缘衬底材料、蓝宝石的制作。

所述半导体绝缘衬底材料为非金属超硬脆材料。

所述半导体绝缘衬底材料为陶瓷、氧化铍、硅中任意一种。