[发明专利]一种电容结构及其制备方法和半导体器件在审
| 申请号： | 202010702164.4 | 申请日： | 2020-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN112018090A | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 安重镒;李相遇;金成基;李俊杰;周娜 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L27/108;H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 金铭 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电容 结构 及其 制备 方法 半导体器件 | ||
1.一种电容结构，其特征在于，包括上电极层；
所述上电极层覆盖于保护膜之上，所述保护膜为等离子体氧化层和等离子体氮化层中的至少一种。
2.根据权利要求1所述的电容结构，其特征在于，所述保护膜层叠于电介质层之上。
3.根据权利要求2所述的电容结构，其特征在于，所述电介质层层叠于下电极之上。
4.根据权利要求2或3所述的电容结构，其特征在于，所述电介质层为多层电介质材料层叠而成，多层电介质材料的材质相同或不同，选自TiO2、锆氧化物、铝氧化物中的一种或多种混合。
5.根据权利要求4所述的电容结构，其特征在于，所述电介质层由以下两层从下至上的层叠而成：锆氧化物和铝氧化物的复合层，TiO2层。
6.根据权利要求3所述的电容结构，其特征在于，所述电介质层与所述下电极之间还设有用氨气的等离子体氮化层。
7.根据权利要求1所述的电容结构，其特征在于，所述电容结构为双圆筒型电容。
8.一种电容结构的制备方法，其特征在于，在沉积上电极层之前，先利用等离子体技术形成氧化层和/或氮化层。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，利用集群式设备、炉管式设备或旋转式设备(Merry-go-round)形成所述保护膜。
10.一种半导体器件，其特征在于，包括权利要求1-7任一项所述的电容结构。
11.根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体存储器件为DRAM、2DNAND、3D NAND。
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