[发明专利]晶圆结构及晶圆加工方法

权利要求书

1.一种晶圆结构，其特征在于，用于形成多个管芯，所述晶圆结构包括：

半导体衬底；

位于所述半导体衬底上表面的多个第一功能层和多个第二功能层，所述多个第一功能层由划片道隔开，所述多个第二功能层位于所述划片道中且所述多个第二功能层的至少一个位于所述划片道内所述半导体衬底的高不良率发生区域上表面；

其中，所述多个管芯分别包括所述半导体衬底的一部分和所述多个第一功能层中的相应一个功能层，所述多个第二功能层用于提供所述多个管芯中相邻管芯之间的机械和/或电连接。

2.根据权利要求1所述的晶圆结构，其特征在于，所述高不良率发生区域至少包括第一区域、第二区域、第三区域中的一种，其中，

所述第一区域，为所述半导体衬底按N/P掺杂和晶格朝向而存在的平边内侧区域；

所述第二区域，为所述半导体衬底按N/P掺杂和晶格朝向而存在的缺口内侧区域；

所述第三区域，为所述半导体衬底在传送过程中的受力区域。

3.根据权利要求2所述的晶圆结构，其特征在于，

所述晶圆结构还包括所述半导体衬底中设置的至少一个辅助凹槽；

以及，所述至少一个辅助凹槽设置在所述高不良率发生区域以外的所述半导体衬底中。

4.根据权利要求3所述的晶圆结构，其特征在于，所述至少一个辅助凹槽包括：用于辅助所述多个管芯切割开来的凹槽。

5.根据权利要求3所述的晶圆结构，其特征在于，所述至少一个辅助凹槽包括：

用于平衡功能凹槽释放应力的凹槽，和/或，用于存储所述多个管芯制作过程中所需其他物质的凹槽；

其中，所述功能凹槽为位于所述第一功能层下方以形成麦克风声腔的凹槽。

6.根据权利要求1所述的晶圆结构，其特征在于，

所述半导体衬底还包括因治具原因而易发生贯穿性损伤的区域；

所述第一功能层和所述第二功能层远离所述易发生贯穿性损伤的区域而设置。

7.一种晶圆加工方法，其特征在于，包括：

在半导体衬底上表面形成多个第一功能层和多个第二功能层，所述多个第一功能层由划片道隔开，所述多个第二功能层位于所述划片道中且所述多个第二功能层的至少一个位于所述划片道内所述半导体衬底的高不良率发生区域上表面；

沿着所述划片道进行芯片的切割以切割出独立的多个管芯，所述多个管芯分别包括所述半导体衬底的一部分和所述多个第一功能层中的相应一个功能层，所述多个第二功能层用于提供所述多个管芯中相邻管芯之间的机械和/或电连接。

8.根据权利要求7所述的晶圆加工方法，其特征在于，在半导体衬底上表面形成多个第一功能层和多个第二功能层，包括：

基于所述高不良率发生区域的位置制作掩膜版图；

借助于所述掩膜版图对所述半导体衬底上表面层叠的各绝缘膜和功能膜进行接触式光刻，以形成多个所述第一功能层和多个所述第二功能层。

9.根据权利要求8所述的晶圆加工方法，其特征在于，

基于所述高不良率发生区域的位置制作掩膜版图，包括：根据所述高不良率发生区域的位置制作单张接触式光罩，或者，制作多张相同或不同的接触式光罩；

借助于所述掩膜版图对所述半导体衬底上表面层叠的各绝缘膜和功能膜进行接触式光刻，包括：形成多个第一功能层后，在相邻两个所述第一功能层之间的划片道中，通过制作的所述接触式光罩定义连接图形以形成多个第二功能层；

其中，所述多个第二功能层的至少一个位于所述划片道内所述高不良率发生区域上表面。