[发明专利]晶圆结构及晶圆加工方法

说明书

本申请公开了一种晶圆结构及晶圆加工方法，所述晶圆结构用于形成多个管芯，其中，包括：半导体衬底；位于半导体衬底上表面的多个第一功能层和多个第二功能层，多个第一功能层由划片道隔开，多个第二功能层位于划片道中且多个第二功能层的至少一个位于划片道内半导体衬底的高不良率发生区域上表面；其中，多个管芯分别包括半导体衬底的一部分和多个第一功能层中的相应一个功能层，多个第二功能层用于提供多个管芯中相邻管芯之间的机械和/或电连接。本申请提供的晶圆结构及晶圆加工方法提高了晶圆的量产良率。

技术领域

本发明涉及半导体加工领域，更具体地，涉及一种晶圆结构及晶圆加工方法。

背景技术

半导体集成电路的制造，需要先对晶圆(wafer)进行加工，其中，晶圆通常为6英寸、8英寸或12英寸的圆形或类圆形晶片；晶圆加工包括晶圆结构的制造和切割。具体地，晶圆结构的制造是在晶圆上层叠绝缘膜和功能膜以形成阵列排布有多个管芯的功能层；晶圆结构的切割，是在管芯形成后将电性测试合格的管芯切割下来以便后续封装使用。

在晶圆上形成多个管芯可以批量获得性能一致性良好的多个产品，并且可以显著降低管芯的制造成本，因此，晶圆切割是现代半导体工艺的必要步骤。微机械晶圆作为晶圆的一种，其加工同样经过晶圆切割这一重要步骤，并且也包括晶圆制造这一基础步骤，不同的是，微机械晶圆的制造步骤会去除掉比一般集成电路晶圆占比较多的材料。

微机械晶圆去除材料过多常常使得应力释放导致晶圆翘曲乃至出现边缘破裂的不良现象。微机械晶圆在批量生产中出现的各种不良现象直接影响到晶圆的量产良率。针对晶圆量产良率较低的技术问题，现有技术中缺乏有效的解决方案。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种有利于晶圆量产良率提高的晶圆结构及晶圆加工方法。

根据本发明的第一方面，提供一种晶圆结构，用于形成多个芯片，所述晶圆结构包括：

半导体衬底；

位于所述半导体衬底上表面的多个第一功能层和多个第二功能层，所述多个第一功能层由划片道隔开，所述多个第二功能层位于所述划片道中且所述多个第二功能层的至少一个位于所述划片道内所述半导体衬底的高不良率发生区域上表面；

其中，所述多个管芯分别包括所述半导体衬底的一部分和所述多个第一功能层中的相应一个功能层，所述多个第二功能层用于提供所述多个管芯中相邻管芯之间的机械和/或电连接。

可选地，所述高不良率发生区域至少包括第一区域、第二区域、第三区域中的一种，其中，

所述第一区域，为所述半导体衬底按N/P掺杂和晶格朝向而存在的平边内侧区域；

所述第二区域，为所述半导体衬底按N/P掺杂和晶格朝向而存在的缺口内侧区域；

所述第三区域，为所述半导体衬底在传送过程中的受力区域。

可选地，所述晶圆结构还包括所述半导体衬底中设置的至少一个辅助凹槽；

以及，所述至少一个辅助凹槽设置在所述高不良率发生区域以外的所述半导体衬底中。

可选地，所述至少一个辅助凹槽包括：用于辅助所述多个管芯切割开来的凹槽。

可选地，所述至少一个辅助凹槽包括：

用于平衡功能凹槽释放应力的凹槽，和/或，用于存储所述多个管芯制作过程中所需其他物质的凹槽；

其中，所述功能凹槽为位于所述第一功能层下方以形成麦克风声腔的凹槽。

可选地，所述半导体衬底还包括因治具原因而易发生贯穿性损伤的区域；

所述第一功能层和所述第二功能层远离所述易发生贯穿性损伤的区域而设置。