[发明专利]一种氧化铟薄膜晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种氧化铟薄膜晶体管，其特征在于，从下至上包括衬底、栅电极、绝缘层、氧化铟有源层、源漏电极、电子受体薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种氧化铟薄膜晶体管，其特征在于，所述电子受体薄膜为无机材料，所述无机材料为CuO或NiO。

3.根据权利要求1所述的一种氧化铟薄膜晶体管，其特征在于，所述电子受体薄膜为有机材料，所述有机材料为7,7,8,8-四氰基对苯二醌二甲烷或1,2,4,5-四氰基苯。

4.根据权利要求3所述的一种氧化铟薄膜晶体管，其特征在于，所述电子受体薄膜上还设置有氧化铝钝化层。

5.根据权利要求2所述的一种氧化铟薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S101.先在衬底上制备栅电极，在栅电极上制备绝缘层；

S102.采用磁控溅射法在绝缘层上制备氧化铟有源层，用热蒸发镀膜工艺在氧化铟有源层上制备源漏电极；

S103.将硝酸铜或硝酸镍溶解于有机溶剂中，然后加入络合剂进行混合，制备得无机电子受体薄膜的前驱体溶液；

S104.将前驱体溶液滴在氧化铟有源层沟道上，旋涂成膜，并热处理，重复旋涂并热处理，最后一次旋涂后退火得到无机电子受体薄膜CuO或NiO。

6.根据权利要求3所述的一种氧化铟薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S201.先在衬底上制备栅电极，在栅电极上制备绝缘层；

S202.采用磁控溅射法在绝缘层上制备氧化铟有源层，用热蒸发镀膜工艺在氧化铟有源层上制备源漏电极；

S203.将7,7,8,8-四氰基对苯二醌二甲烷或1,2,4,5-四氰基苯溶解到溶剂中，搅拌得到有机电子受体薄膜的前驱体溶液；

S204.将前驱体溶液滴在氧化铟有源层沟道上，旋涂成膜得到有机电子受体薄膜后将整个器件真空干燥。

7.根据权利要求4所述的一种氧化铟薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S301.先在衬底上制备栅电极，在栅电极上制备绝缘层；

S302.采用磁控溅射法在绝缘层上制备氧化铟有源层，用热蒸发镀膜工艺在氧化铟有源层上制备源漏电极；

S303.将7,7,8,8-四氰基对苯二醌二甲烷或1,2,4,5-四氰基苯溶解到溶剂中，搅拌得到有机电子受体薄膜的前驱体溶液；

S304.将前驱体溶液滴在氧化铟有源层沟道上，旋涂成膜得到有机电子受体薄膜后将整个器件真空干燥；

S305.采用磁控溅射法在电子受体薄膜上制备氧化铝钝化层，溅射靶材为高纯铝靶，溅射气体为高纯氩气和高纯氧气。

8.根据权利要求5或6或7所述的一种氧化铟薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述氧化铟有源层的厚度为5～15nm，所述源漏电极的电极材料为Al、Cu或Au，源漏电极的厚度为30～50nm，源漏电极形成的沟道长度为50～100μm，沟道宽度为600～1000μm。

9.根据权利要求5所述的一种氧化铟薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述硝酸铜或硝酸镍与络合剂的摩尔比为1：（0.5～1.5），所述络合剂为乙酰丙酮、甘氨酸、尿素、柠檬酸中的一种或几种的组合，所述热处理的温度为260～300℃、时间为20～30min，所述退火温度为260～300℃、时间为4～6h。

10.根据权利要求6或7所述的一种氧化铟薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述溶剂为氯仿、氯苯、乙腈或四氢呋喃，所述真空干燥的时间为10～20min，温度为50～80℃。