[发明专利]电容器及其制备方法

权利要求书

1.一种电容器的制备方法，其特征在于，包括：

提供一半导体衬底；

于所述半导体衬底上形成上电极；

使用含氮气体对所述上电极的外表面进行处理，以在所述上电极的外表面形成第一钝化层；

在第一钝化层的外表面形成上电极连接层。

2.根据权利要求1所述的电容器的制备方法，其特征在于，所述含氮气体选自NH₃或N₂。

3.根据权利要求2所述的电容器的制备方法，其特征在于，所述处理选自等离子体处理或热处理退火。

4.根据权利要求3所述的电容器的制备方法，其特征在于，所述含氮气体选自NH₃，所述热处理退火的条件为：真空条件下，退火时间为10-20分钟，温度范围为350度-470度，压力范围为0.3-1.0torr，NH₃的流量为50sccm-2000sccm；或所述等离子体处理的条件为：真空条件下，退火时间为1-10分钟，温度范围为120度-470度，压力范围为0.3-3.0torr，NH₃的流量为50sccm-2000sccm，RF的功率为10-1000w。

5.根据权利要求3所述的电容器的制备方法，其特征在于，所述含氮气体选自N₂，所述处理选自热处理退火，通入的含氮气体不小于10升。

6.根据权利要求1所述的电容器的制备方法，其特征在于，所述上电极的材料选自TiN、TaN、W/WN、WN、Pt、Ru、AlN中的任一种或其组合。

7.根据权利要求6所述的电容器的制备方法，其特征在于，所述上电极连接层材料选自硼掺杂锗硅。

8.根据权利要求7所述的电容器的制备方法，其特征在于，使用含氮气体对所述上电极的外表面进行处理之后，在形成所述上电极连接层之前，还包括以下步骤：

使用第一处理气体执行第一处理工艺，以在第一钝化层上形成第一籽晶层；

接着，使用第二处理气体执行第二处理工艺，以在所述第一籽晶层形成第二籽晶层；

所述第一处理工艺、第二处理工艺的步骤在同环境下执行。

9.根据权利要求8所述的电容器的制备方法，其特征在于，所述第一处理气体选自N₂稀释的BCl₃或B₂H₆，所述N₂的体积百分比为1-10％，所述第二处理气体选自SiH₄与BCl₃的混合气体或SiH₄与B₂H₆的混合气体。

10.根据权利要求9所述的电容器的制备方法，其特征在于，所述第一处理工艺、第二处理工艺的处理环境为：温度条件范围为350-470度，压力条件范围为0.3-1.0torr。

11.根据权利要求10所述的电容器的制备方法，其特征在于，所述第一处理气体的流量为30sccm-1000sccm，所述第二处理气体选自SiH₄与B₂H₆的混合气体，其中，SiH₄的流量为500sccm-2000sccm，B₂H₆的流量100sccm-1000sccm。