[发明专利]电容器及其制备方法在审
申请号: | 202010702697.2 | 申请日: | 2020-07-21 |
公开(公告)号: | CN112018041A | 公开(公告)日: | 2020-12-01 |
发明(设计)人: | 崔基雄;王桂磊;孔真真;刘金彪;白国斌 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/8242 | 分类号: | H01L21/8242;H01L27/108 |
代理公司: | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人: | 金铭 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电容器 及其 制备 方法 | ||
1.一种电容器的制备方法,其特征在于,包括:
提供一半导体衬底;
于所述半导体衬底上形成上电极;
使用含氮气体对所述上电极的外表面进行处理,以在所述上电极的外表面形成第一钝化层;
在第一钝化层的外表面形成上电极连接层。
2.根据权利要求1所述的电容器的制备方法,其特征在于,所述含氮气体选自NH3或N2。
3.根据权利要求2所述的电容器的制备方法,其特征在于,所述处理选自等离子体处理或热处理退火。
4.根据权利要求3所述的电容器的制备方法,其特征在于,所述含氮气体选自NH3,所述热处理退火的条件为:真空条件下,退火时间为10-20分钟,温度范围为350度-470度,压力范围为0.3-1.0torr,NH3的流量为50sccm-2000sccm;或所述等离子体处理的条件为:真空条件下,退火时间为1-10分钟,温度范围为120度-470度,压力范围为0.3-3.0torr,NH3的流量为50sccm-2000sccm,RF的功率为10-1000w。
5.根据权利要求3所述的电容器的制备方法,其特征在于,所述含氮气体选自N2,所述处理选自热处理退火,通入的含氮气体不小于10升。
6.根据权利要求1所述的电容器的制备方法,其特征在于,所述上电极的材料选自TiN、TaN、W/WN、WN、Pt、Ru、AlN中的任一种或其组合。
7.根据权利要求6所述的电容器的制备方法,其特征在于,所述上电极连接层材料选自硼掺杂锗硅。
8.根据权利要求7所述的电容器的制备方法,其特征在于,使用含氮气体对所述上电极的外表面进行处理之后,在形成所述上电极连接层之前,还包括以下步骤:
使用第一处理气体执行第一处理工艺,以在第一钝化层上形成第一籽晶层;
接着,使用第二处理气体执行第二处理工艺,以在所述第一籽晶层形成第二籽晶层;
所述第一处理工艺、第二处理工艺的步骤在同环境下执行。
9.根据权利要求8所述的电容器的制备方法,其特征在于,所述第一处理气体选自N2稀释的BCl3或B2H6,所述N2的体积百分比为1-10%,所述第二处理气体选自SiH4与BCl3的混合气体或SiH4与B2H6的混合气体。
10.根据权利要求9所述的电容器的制备方法,其特征在于,所述第一处理工艺、第二处理工艺的处理环境为:温度条件范围为350-470度,压力条件范围为0.3-1.0torr。
11.根据权利要求10所述的电容器的制备方法,其特征在于,所述第一处理气体的流量为30sccm-1000sccm,所述第二处理气体选自SiH4与B2H6的混合气体,其中,SiH4的流量为500sccm-2000sccm,B2H6的流量100sccm-1000sccm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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