[发明专利]电容器及其制备方法

说明书

本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种电容器及其制备方法，包括：提供一半导体衬底；于所述半导体衬底上形成上电极；使用含氮气体对所述上电极的外表面进行处理，以在所述上电极的外表面形成第一钝化层；在第一钝化层的外表面形成上电极连接层。通过在上电极与上电极连接层之间的界面、上电极连接层与金属导线层之间的界面进行界面处理，即依次在上电极进行处理、第一处理工艺以及第二处理工艺，以及在上电极连接层进行钝化处理，使得上电极与上电极连接层之间界面、上电极连接层与金属导线层之间界面的不完全反应物被去除，大大降低了电容器的漏电。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种电容器及其制备方法。

背景技术

随着半导体器件(Semiconductor Device)集成度的越来越大以及设计规则缩减(Design Rule Scaling Down)，提高电容器(Capacitor)的电容值(Capacity)，防止电容器(Capacitor)漏电变得越来越艰难。特别是对于深宽高比(Aspect Ratio)的圆柱形电容器(Cylinder Capacitor)，举例来说，在形成宽高比(Aspect Ratio)超过40:1的电容器(Capacitor)时，电容器(Capacitor)的上部电极经常使用金属性物质TiN膜(Film)。而TiN膜上通常会形成SiGe膜，当作电极的一部分来使用，以连接TiN膜(Film)与半导体装置上部的W或Al金属(Metal)导线。此SiGe膜(Film)是在低温400度左右生长而成，SiGe膜(Film)表面反应不完全，所以薄膜均匀性(Uniformity)不佳，而这些反应不完全的部分是造成漏电的来源(Source)，如果SiGe膜(Film)的一致性(Uniformity)太差，则会使得圆柱形电容器(Cylinder Capacitor)的上部电极部分产生填入不良，诱发圆柱形电容器(CylinderCapacitor)构造上热应力(Stress)不均衡，导致热应力(Stress)集中的部分发生电容器(Capacitor)漏电。

发明内容

本申请至少在一定程度上解决相关技术中的上述技术问题。为此，本申请提出一种电容器及其制备方法，以提高现有电容器漏电的问题。

为了实现上述目的，本申请第一方面提供了一种电容器的制备方法，包括：

提供一半导体衬底；

于所述半导体衬底上形成上电极；

使用含氮气体对所述上电极的外表面进行处理，以在所述上电极的外表面形成第一钝化层；

在第一钝化层的外表面形成上电极连接层。

本申请第二方面提供了一种电容器，包括：

半导体衬底；

上电极，位于所述半导体衬底上；

第一钝化层，位于所述上电极上；

上电极连接层，位于所述第一钝化层上。

附图说明

通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本申请的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：

图1示出了本申请一些实施例的柱状电容器的剖面示意图；

图2示出了本申请一些实施例的上电极、上电极连接层界面处的局部放大图。

具体实施方式

以下，将参照附图来描述本公开的实施例。但是应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本公开的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本公开的概念。