[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

一基底；

多个导电特征部件设置于该基底的上方；

多个连接垫设置于该基底的上方，其中两相邻的连接垫的轴线夹角小于180度；

一覆盖层设置于该基底的上方；

多个电容结构设置于该基底的上方。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中所述多个导电特征部件设置于所述多个电容结构的下方。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其中所述多个导电特征部件设置于所述多个电容结构的上方。

4.如权利要求1所述的半导体装置，还包括多个字元线及一第一掺杂区域，所述多个字元线设置于该基底中，该第一掺杂区域设置于所述多个字元线中一相邻对之间，其中所述多个导电特征部件中的一者设置于该第一掺杂区域上。

5.如权利要求4所述的半导体装置，其中所述多个连接垫中的一者设置于多个位元线中的一者及该第一掺杂区域之间。

6.如权利要求4所述的半导体装置，还包括多个隔离结构设置于该基底中，其中所述多个隔离结构彼此间分隔设置，且所述多个隔离结构限定出多个主动区域于该基底中。

7.如权利要求1所述的半导体装置，还包括多个第二掺杂区域及多个主动区域，其中每一个主动区域和两字元线相交，且所述多个第二掺杂区域设置于该两字元线及多个隔离结构之间。

8.如权利要求7所述的半导体装置，其中所述多个连接垫设置于所述多个电容结构及所述多个第二掺杂区域之间。

9.如权利要求6所述的半导体装置，其中所述多个字元线中的二者沿一第一方向延伸，而所述多个主动区域沿一相对于该第一方向倾斜的方向延伸。

10.如权利要求1所述的半导体装置，还包括多个位元线接触插塞及多个位元线，所述多个位元线接触插塞设置于该基底的上方，所述多个位元线设置于该基底的上方，其中所述多个位元线接触插塞中的一者设置于该覆盖层上并设置于所述多个位元线中的一者的下方。

11.如权利要求1所述的半导体装置，其中所述多个电容结构包括多个电容底部电极内凹地设置于该基底的上方、一电容绝缘层设置于所述多个电容底部电极上和一电容顶部电极设置于该电容绝缘层上。

12.一种半导体装置的制造方法，包括：

提供一基底；

形成多个导电特征部件于该基底的上方；

形成一覆盖层于该基底的上方；

形成多个连接垫于该基底的上方，其中两相邻的连接垫的轴线夹角小于180度。

13.如权利要求12所述的半导体装置的制造方法，还包括形成多个电容结构于该基底的上方。

14.如权利要求13所述的半导体装置的制造方法，其中所述多个导电特征部件形成于所述多个电容结构的下方。

15.如权利要求13所述的半导体装置的制造方法，其中所述多个导电特征部件形成于所述多个电容结构的上方。

16.如权利要求12所述的半导体装置的制造方法，还包括形成多个字元线及一第一掺杂区域，所述多个字元线形成于该基底中，该第一掺杂区域形成于所述多个字元线中一相邻对之间，其中该导电特征部件中的一者形成于该第一掺杂区域上。

17.如权利要求16所述的半导体装置的制造方法，其中所述多个连接垫中的一者形成于多个位元线中的一者及该第一掺杂区域之间。