[发明专利]一种铜基金刚石散热片及其制备方法有效
申请号: | 202010705770.1 | 申请日: | 2020-07-21 |
公开(公告)号: | CN111805988B | 公开(公告)日: | 2022-08-02 |
发明(设计)人: | 蒋孟瑶;蒋向上 | 申请(专利权)人: | 蒋孟瑶 |
主分类号: | B32B9/00 | 分类号: | B32B9/00;B32B9/04;B32B15/04;B32B15/20;B32B33/00;B32B37/06;B32B37/10;C22C9/00;B22F3/14;B22F3/24;H01L23/367;H01L23/373 |
代理公司: | 长沙市融智专利事务所(普通合伙) 43114 | 代理人: | 钟丹;魏娟 |
地址: | 410011 湖南省长沙*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基金 刚石 散热片 及其 制备 方法 | ||
本发明公开了一种铜基金刚石散热片及其制备方法,所述铜基金刚石散热片依次包括铜箔底层、金刚石颗粒层、铜箔顶层;所述铜箔底层与铜箔顶层均由铜、银组成,按质量比计,铜:银=7‑8:2‑3。本发明所提供的铜基金刚石散热片不但在形状薄、尺寸小的外形上满足半导体元件的散热要求,还具备了高导热率、低膨胀系数,抗压强度和抗拉强度高的特点,是5G时代电子元件的最理想的散热材料。
技术领域
本发明属于金刚石复合材料制造领域,具体涉及一种铜基金刚石散热片的及其制备方法。
背景技术
电子技术通信进入5G时代,集成电路向着大规模、高集成、大功率方向深入发展。电子元器件发热量迅速增加,微处理器等半导体元件常常因工作温度过高而影响工作,有关研究数据表明,当半导体元件表面温度≥70℃时,每升高1℃,半导体元件的可靠性下降5%,诱发各种工作故障。传统的金属导热材料无法满足现代半导体元件的散热需求,新一代的高导热率材料也就应运而生,例如金属复合材料、碳纤维材料、硅晶材料、人造金刚石、石墨烯等新一代散热材料被应用到半导体元件的导热装置。新一代的导热材料,始终存在着一个高导热率与材料的抗压强度、抗拉强度之间矛盾,也就是材料的导热率提高了,抗压强度、抗拉强度就降低了,反之抗压强度、抗拉强度能够满足工作条件的要求,而导热率又达不到工作条件的最佳状态。
发明内容
针对现有技术的不足,本发明的目的在于提供一种高强度、高导热、低成本的铜基金刚石散热片及其制备方法。
为了实现上述目的,本发明提供如下技术方案:
本发明一种铜基金刚石散热片,所述铜基金刚石散热片依次包括铜箔底层、金刚石颗粒层、铜箔顶层;所述铜箔底层与铜箔顶层的成份均由铜、银组成,按质量比计,铜:银=7-8:2-3。
优选的方案,所述铜箔底层、铜箔顶层的厚度均为0.07~0.1㎜。
优选的方案,所述铜基金刚石散热片中,金刚石颗粒层的质量分数为60%~94%。
优选的方案,所述金刚石颗粒的晶型为单晶,形状为六面体,所述金刚石颗粒的粒径为10~60目。
在本发明中,同一片铜基金刚石散热片中采用相同尺寸的金刚石颗粒。
优选的方案,所述金刚石颗粒含有铜镀层,所述铜镀层的厚度≤0.01毫米,优选为0.005~0.009毫米。
本发明一种铜基金刚石散热片的制备方法,包括如下步骤:
步骤1
按一层软质材料,一条铜箔、一层金刚石颗粒、再一条铜箔、一层软质材料的层叠方式,将待成型的一片或2片铜基金刚石散热片组装于石墨模具中,常温下双向压制获得冷压坯;
步骤2
然后将冷压坯进行净化热处理,净化热处理后所得坯体进行真空恒温保存,所述净化热处理的温度≤600℃,
步骤3
将步骤2所得坯体置于热压机上,上下同时加压、加温压制,即铜基金刚石散热。
优选的方案,步骤1中,所述铜箔的制备方法为:按设计比例配取纯铜粉、纯银粉,混合,获得混合粉,将混合粉于680℃~750℃的温度下热压成型,然后再延伸成0.07~0.1㎜厚度的铜箔。
在本发明的,铜箔的制备过程中,铜粉与银粉几乎没有质量损失,即按铜:银=7-8:2-3的设计比例配取铜粉、银粉即可。
在本发明中控制铜箔的厚度为0.07~0.1㎜的厚度,可以确保金刚石在铜基金刚石散热片中的占比,同时保证铜基金刚石散热片的热导率,同时也可以保证在压制过程中不会被刺穿,在冷压成坯时不会发生位移,导致散热片热导率不稳定。
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