[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质

权利要求书

1.半导体器件的制造方法，其包括下述工序：

(a)向处理容器内的衬底供给第1处理气体，在所述衬底上形成膜的工序；

(b)在所述处理容器内不存在所述衬底的状态下，向所述处理容器内供给第2处理气体，在所述处理容器内形成材质与所述膜不同的第1厚度的第1预涂布膜的工序；和

(c)在所述处理容器内不存在所述衬底的状态下，向所述处理容器内供给第3处理气体，在所述处理容器内形成的所述第1预涂布膜上形成材质与所述膜相同且比所述第1厚度薄的第2厚度的第2预涂布膜的工序。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，所述第1预涂布膜及所述第2预涂布膜均不含所述膜中所含元素以外的元素。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，所述第1预涂布膜为不含碳膜，所述第2预涂布膜为含碳膜。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，所述第1预涂布膜为氮氧化膜，所述第2预涂布膜为氧碳氮化膜。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，所述膜含有硅、氧、碳及氮，所述第1预涂布膜含有硅、氧及氮，所述第2预涂布膜含有硅、氧、碳及氮。

6.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，所述膜为氧碳氮化硅膜，所述第1预涂布膜为氮氧化硅膜，所述第2预涂布膜为氧碳氮化硅膜。

7.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，在(b)中，通过将作为所述第2处理气体向所述处理容器内非同时地供给含硅气体、含氧气体及含氮气体的循环进行规定次数，从而形成所述第1预涂布膜，

在(c)中，通过将作为所述第3处理气体向所述处理容器内非同时地供给含硅气体、含碳气体、含氧气体及含氮气体的循环进行规定次数，从而形成所述第2预涂布膜。

8.根据权利要求7所述的半导体器件的制造方法，在(a)中，通过将作为所述第1处理气体向所述处理容器内的衬底非同时地供给含硅气体、含碳气体、含氧气体及含氮气体的循环进行规定次数，从而形成所述膜，

使(b)中的所述含硅气体、所述含氧气体及所述含氮气体的供给顺序以及(c)中的所述含硅气体、所述含碳气体、所述含氧气体及所述含氮气体的供给顺序与(a)中的所述含硅气体、所述含碳气体、所述含氧气体及所述含氮气体的供给顺序相同。

9.根据权利要求8所述的半导体器件的制造方法，在(a)中，依次供给所述含硅气体、所述含碳气体、所述含氧气体及所述含氮气体，

在(b)中，依次供给所述含硅气体、所述含氧气体及所述含氮气体，

在(c)中，依次供给所述含硅气体、所述含碳气体、所述含氧气体及所述含氮气体。

10.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，所述第2厚度为所述第2预涂布膜变为无针孔的厚度。

11.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，所述第2厚度超过且为以下。

12.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，所述第2厚度为以上且以下。

13.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，所述第2厚度为以上且以下。

14.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，在进行(b)及(c)后进行(a)。

15.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，在进行(b)及(c)之前还具有下述工序：

(d)在所述处理容器内不存在所述衬底的状态下，向所述处理容器内供给清洁气体，将在所述处理容器内堆积的堆积物去除的工序。