[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质在审
| 申请号： | 202010705777.3 | 申请日： | 2020-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN112349578A | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 原田和宏;小仓慎太郎;南政克 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 衬底 处理 装置 记录 介质 | ||
本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。课题在于缩短衬底处理装置的停机时间并提高生产率。半导体器件的制造方法包括下述工序：(a)向处理容器内的衬底供给第1处理气体，在衬底上形成膜的工序；(b)在处理容器内不存在衬底的状态下向处理容器内供给第2处理气体，在处理容器内形成材质与所述膜不同的第1厚度的第1预涂布膜的工序；和(c)在处理容器内不存在衬底的状态下向处理容器内供给第3处理气体，在处理容器内形成的第1预涂布膜上形成材质与所述膜相同且比所述第1厚度薄的第2厚度的第2预涂布膜的工序。
技术领域
本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。
背景技术
作为半导体器件的制造工序的一个工序，有时进行在衬底处理装置的处理容器内处理衬底的工序(例如参见专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2011/111498号小册子
发明内容
发明要解决的课题
本发明的目的在于，缩短衬底处理装置的停机时间(downtime)并提高生产率。
用于解决课题的手段
根据本发明的一方案，提供进行下述工序的技术：
(a)向处理容器内的衬底供给第1处理气体，在所述衬底上形成膜的工序；
(b)在所述处理容器内不存在所述衬底的状态下，向所述处理容器内供给第2处理气体，在所述处理容器内形成材质与所述膜不同的第1厚度的第1预涂布膜的工序；和
(c)在所述处理容器内不存在所述衬底的状态下，向所述处理容器内供给第3处理气体，在所述处理容器内形成的所述第1预涂布膜上形成材质与所述膜相同且比所述第1厚度薄的第2厚度的第2预涂布膜的工序。
发明效果
根据本发明，能够缩短衬底处理装置的停机时间并提高生产率。
附图说明
图1是本发明的一方案中优选使用的衬底处理装置的纵型处理炉的概略构成图，是以纵剖视图示出处理炉部分的图。
图2是本发明的一方案中优选使用的衬底处理装置的纵型处理炉的概略构成图，是以图1的A-A线剖视图示出处理炉部分的图。
图3是本发明的一方案中优选使用的衬底处理装置的控制器的概略构成图，是以框图示出控制器的控制系统的图。
图4是示出本发明的一方案中的衬底处理时序的图。
图5是示出本发明的一方案中的成膜时的气体供给时序的图。
图6的(A)是示出比较例的预涂布后的反应管的内壁的剖切示意图，图6的(B)是示出本实施例的预涂布后的反应管的内壁的剖切示意图。
图7是将比较例的形成预涂布膜时的预涂布时间与本实施例的形成预涂布膜时的预涂布时间进行比较并示出的图。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
