[发明专利]一种阵列基板及其制备方法

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括

基板，其一侧表面依次设有阻隔层、有源层、第一绝缘层、第二绝缘层、第一介电层、第三绝缘层及第二介电层；

第一凹槽，依次贯穿所述第二介电层、所述第三绝缘层、所述第一介电层、所述第二绝缘层、所述第一绝缘层、所述有源层以及部分的所述阻隔层，所述第一凹槽的底面位于所述阻隔层的内部；以及

第一源漏电极，设于所述第二介电层远离所述第三绝缘层的一侧表面，且覆盖所述第一凹槽的内侧壁和底面，所述第一源漏电极连接至所述有源层。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括

第一栅极，设于所述第一绝缘层远离所述阻隔层的一侧表面；所述第二绝缘层覆盖所述第一栅极；

第二栅极，设于所述第二绝缘层远离所述第一绝缘层的一侧表面；所述第一介电层覆盖所述第二栅极；以及

钝化层，设于所述第二介电层远离所述第三绝缘层的一侧表面，且覆盖所述第一源漏电极，并填充所述第一凹槽。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，还包括

第二凹槽，依次贯穿所述钝化层、所述第二介电层、所述第三绝缘层、所述第一介电层、所述第二绝缘层、所述第一绝缘层、所述阻隔层以及部分所述基板；以及

第一平坦层，设于所述钝化层远离所述第二介电层的一侧表面，且填充所述第二凹槽。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，

所述基板包括

第一柔性层；

第一缓冲层，设于所述第一柔性层的一侧表面；

第二柔性层，设有所述第一缓冲层远离所述第一柔性层的一侧表面；以及

第二缓冲层，设于所述第二柔性层远离所述第一缓冲层的一侧表面；

其中，所述第二凹槽的底面与所述第二柔性层远离所述第一柔性层的一侧表面平齐。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述第一凹槽包括

第一通孔，贯穿所述第二介电层和所述第三绝缘层；

第一倒梯形凹槽，其贯穿所述第一介电层、所述第二绝缘层、所述第一绝缘层、所述有源层以及部分的所述阻隔层；

其中，所述第一倒梯形凹槽与所述第一通孔相对设置，且所述第一倒梯形凹槽的槽口的宽度小于所述第一通孔的孔径。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，

所述第一通孔的内侧壁与所述第一介电层表面的夹角为40°～80°。

7.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一基板；

在所述基板上依次制备阻隔层、有源层、第一绝缘层、第二绝缘层、第一介电层、第三绝缘层及第二介电层；

刻蚀所述第二介电层、所述第三绝缘层、所述第一介电层、所述第二绝缘层、所述第一绝缘层、所述有源层以及部分的所述阻隔层形成第一凹槽，所述第一凹槽的底面设于所述阻隔层的内部；

在所述第一凹槽顶部边缘处的第二介电层上制备第一源漏电极，该第一源漏电极的中部覆盖所述第一凹槽的内侧壁以及底面；

在所述第二介电层上制备一层钝化层，所述钝化层覆盖所述第一源漏电极。

8.根据权利要求7所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，

在所述第一绝缘层制备步骤之后，还包括以下步骤:

在所述第一绝缘层上制备第一栅极，其中，第一栅极对应所述有源层；

在所述第二绝缘层制备步骤之后，还包括以下步骤：

在所述第二绝缘层上制备第二栅极，其中，第二栅极对应所述第一栅极。

9.根据权利要求7所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述第一凹槽的具体制备步骤如下：

刻蚀第二介电层和第三绝缘层形成第一通孔；

在第二通孔对应位置刻蚀所述第一介电层、所述第二绝缘层、所述第一绝缘层、所述有源层以及部分的所述阻隔层形成第一倒梯形凹槽；

其中，第一通孔的侧壁与所述第一倒梯形凹槽的侧壁之间形成一台阶面，所述台阶面设于所述第一介电层上。

10.根据权利要求9所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，

刻蚀所述第一通孔时，还同时刻蚀第二介电层和第三绝缘层形成第二通孔；

刻蚀所述第一倒梯形凹槽时，还同时在第二通孔对应位置刻蚀所述第一介电层、所述第二绝缘层、所述第一绝缘层、所述阻隔层以及部分的所述基板形成第二倒梯形凹槽，所述第二通孔和所述第二倒梯形凹槽连通形成第二凹槽；其中，

所述第一通孔和所述第二通孔采用同一光罩刻蚀，所述第一倒梯形凹槽和第二倒梯形凹槽采用同一光罩刻蚀。