[发明专利]一种阵列基板及其制备方法

说明书

本发明公开了一种阵列基板及其制备方法，阵列基板包括基板，其一侧表面依次设有阻隔层、有源层、第一绝缘层、第二绝缘层、第一介电层、第三绝缘层及第二介电层；第一凹槽，依次贯穿第二介电层、第三绝缘层、第一介电层、第二绝缘层、第一绝缘层、有源层以及部分的阻隔层，所述第一凹槽的底面位于所述阻隔层的内部；以及第一源漏电极，设于第二介电层远离第三绝缘层的一侧表面，且覆盖第一凹槽的内侧壁和底面，第一源漏电极连接至有源层。本发明的有益效果在于，本发明的阵列基板及其制备方法，第一凹槽的侧壁上设有一台阶面，源漏电极覆盖台阶面，从而具有一缓冲效果，避免由于第一凹槽的侧壁过长导致的源漏电极断裂的问题。

技术领域

本申请涉及面板领域，具体涉及一种阵列基板及其制备方法。

背景技术

LTPO是一种低功耗OLED显示技术，LTPO TFT具有比LTPS TFT更低的驱动功率。LTPS显示静止图像需要60Hz，但是LTPO可以降低到1Hz，驱动功率大大降低。LTPO将部分晶体管转换成氧化物，漏电流更少，可使电容器电压(电荷)保持一秒钟，以驱动1Hz。LTPS漏电流更大，即使驱动静止像素也需要60Hz；否则，亮度会大幅降低，而LTPO不会。因此LTPO产品具有较低的功耗越来越受到人们的追捧。

与LTPS相比，制造LTPO需要更多的膜层。首先制造LTPS晶体管，然后通过溅射将金属氧化物(IGZO)沉积在上面以形成氧化物晶体管。为了防止LTPS晶体管与IGZO晶体管相互干扰，二者之间具有较厚的无机膜层作为阻隔。因此源漏电极(SD)到有源层(poly)之间就具有更厚的无机膜层，由于高PPI的要求存在，使得源漏电极连接有源层的孔径通常较小，一般在2-4μm之间，源漏电极到有源层的孔深在1μm-1.5μm之间。狭小且深的孔在蚀刻是容易出现如下两个不良：容易存在无机层残留，残留的无机层导致SD与Poly搭接时的接触电阻增大。深而小的孔中，SD走线容易发生断线，导致SD与Poly搭接异常。以上问题通常能够导致LTPO产品良率降低。

发明内容

本发明提供了一种阵列基板及其制备方法，用以解决现有技术中由于阵列基板中源漏电极和有源层的接触孔太小，从而导致源漏电极断裂的技术问题。

解决上述技术问题的技术方案是：本发明提供了一种阵列基板，包括基板，其一侧表面依次设有阻隔层、有源层、第一绝缘层、第二绝缘层、第一介电层、第三绝缘层及第二介电层；第一凹槽，依次贯穿所述第二介电层、所述第三绝缘层、所述第一介电层、所述第二绝缘层、所述第一绝缘层、所述有源层以及部分的所述阻隔层，所述第一凹槽的底面位于所述阻隔层的内部；以及第一源漏电极，设于所述第二介电层远离所述第三绝缘层的一侧表面，且覆盖所述第一凹槽的内侧壁和底面，所述第一源漏电极连接至所述有源层。

进一步的，阵列基板第一栅极，设于所述第一绝缘层远离所述阻隔层的一侧表面；所述第二绝缘层覆盖所述第一栅极；以及第二栅极，设于所述第二绝缘层远离所述第一绝缘层的一侧表面；所述第一介电层覆盖所述第二栅极。

进一步的，阵列基板钝化层，设于所述第二介电层远离所述第三绝缘层的一侧表面，且覆盖所述第一源漏电极，并填充所述第一凹槽。

进一步的，阵列基板还包括第二凹槽，依次贯穿所述钝化层、所述第二介电层、所述第三绝缘层、所述第一介电层、所述第二绝缘层、所述第一绝缘层、所述阻隔层以及部分所述基板；以及第一平坦层，设于所述钝化层远离所述第二介电层的一侧表面，且填充所述第二凹槽。

进一步的，所述基板包括第一柔性层；第一缓冲层，设于所述第一柔性层的一侧表面；第二柔性层，设有所述第一缓冲层远离所述第一柔性层的一侧表面；以及第二缓冲层，设于所述第二柔性层远离所述第一缓冲层的一侧表面；其中，所述第二凹槽的底面与所述第二柔性层远离所述第一柔性层的一侧表面平齐。