[发明专利]保护膜形成剂、及半导体芯片的制造方法

权利要求书

1.保护膜形成剂，其是在半导体晶片的切割中、用于在半导体晶片的表面形成保护膜的保护膜形成剂，

所述保护膜形成剂包含水溶性树脂(A)、吸光剂(B)、和溶剂(S)，

所述吸光剂(B)包含下式(B1)表示的化合物：

式(B1)中，R¹及R³各自独立地为羟基、或羧基，R²及R⁴各自独立地为羟基、羧基、或-NR⁵R⁶表示的基团，R⁵及R⁶各自独立地为氢原子、或碳原子数1以上且4以下的烷基，m及n各自独立地为0以上且2以下的整数。

2.如权利要求1所述的保护膜形成剂，其中，所述式(B1)表示的化合物为下式(B1-1)表示的化合物，

式(B1-1)中，R¹～R⁴、m、及n与所述式(B1)中的R¹～R⁴、m、及n同样。

3.如权利要求2所述的保护膜形成剂，其中，所述R¹及所述R³中的至少一者为羟基。

4.如权利要求3所述的保护膜形成剂，其中，所述式(B1-1)表示的化合物为下式(B1-1a)～式(B1-1e)中的任一者表示的化合物，

式(B1-1a)～式(B1-1e)中，R¹～R⁴与所述式(B1)中的R¹～R⁴同样。

5.如权利要求4所述的保护膜形成剂，其中，式(B1-1)表示的化合物为所述式(B1-1a)表示的化合物，

所述R²为-NR⁵R⁶表示的所述基团，

所述R⁵及所述R⁶各自独立地为碳原子数1以上且4以下的烷基。

6.如权利要求1或2所述的保护膜形成剂，其中，所述吸光剂(B)的含量为0.1质量％以上且10质量％以下。

7.如权利要求1或2所述的保护膜形成剂，其在1个大气压下不具有闪点。

8.半导体芯片的制造方法，其是对半导体晶片进行加工的、半导体芯片的制造方法，其包括下述步骤：

在所述半导体晶片上涂布权利要求1～7中任一项所述的保护膜形成剂而形成保护膜；以及

向所述半导体晶片上的包含所述保护膜在内的1个以上的层的规定位置照射激光，形成所述半导体晶片的表面露出、并且与半导体芯片的形状相对应的图案的加工槽。