[发明专利]保护膜形成剂、及半导体芯片的制造方法

说明书

本发明涉及保护膜形成剂、及半导体芯片的制造方法。本发明的课题在于提供在半导体晶片的切割中、用于在半导体晶片的表面形成保护膜、且能够形成吸光系数高的保护膜的保护膜形成剂、和使用该保护膜形成剂的半导体芯片的制造方法。本发明的解决手段是在包含水溶性树脂(A)、吸光剂(B)和溶剂(S)的保护膜形成剂中，使用特定结构的化合物作为吸光剂(B)。保护膜形成剂中的吸光剂(B)的含量优选为0.1质量％以上且10质量％以下。

技术领域

本发明涉及保护膜形成剂、及使用了该保护膜形成剂的半导体芯片的制造方法。

背景技术

在半导体器件制造工序中形成的晶片是如下得到的：利用被称为迹道(street)的方格状分割预定线，将在硅等半导体基板的表面层叠绝缘膜和功能膜而成的层叠体进行划分。由迹道划分的各区域成为IC、LSI等半导体芯片。

通过沿着该迹道将晶片切断，从而可得到多个半导体芯片。另外，光器件晶片中，层叠有氮化镓系化合物半导体等的层叠体被迹道划分成多个区域。通过沿着该迹道来切断，光器件晶片被分割为发光二极管、激光二极管等光器件。这些光器件广泛用于电气设备。

这样的晶片的沿着迹道的切断以往通过被称为划片机(dicer)的切削装置来进行。但是，该方法中，具有层叠结构的晶片为高脆性材料，因此，在利用切削刀(切割刃)将晶片裁切分割为半导体芯片等时，存在下述问题：产生划痕、缺口等；或者形成于芯片表面的电路元件所需要的绝缘膜发生剥离。

为了消除这样的不良状况，提出了以下的方法(参见专利文献1)。具体而言，首先，在半导体基板的表面形成包含水溶性材料层的掩模。接下来，对掩模照射激光，将掩模的一部分分解除去，由此在掩模的一部分中露出半导体基板的表面。然后，利用等离子体蚀刻将从掩模的一部分中露出的半导体基板切断，将半导体基板分割为半导体芯片(IC)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特表2014-523112号公报

发明内容

发明要解决的课题

专利文献1记载的方法等中形成作为掩模的保护膜的情况下，大多与水溶性的树脂一同使用水溶性紫外线吸收剂。然而，以往使用的水溶性紫外线吸收剂在切割所使用的激光的波长处的吸光系数低。因此，有时需要将保护膜形成剂中的水溶性紫外线吸收剂的添加量提高。在保护膜形成剂中大量添加水溶性紫外线吸收剂时，存在吸收剂本身的溶解性问题、保护膜的物理特性的下降等问题。

本发明是鉴于上述课题而作出的，目的在于提供在半导体晶片的切割中、用于在半导体晶片的表面形成保护膜、且能够形成吸光系数高的保护膜的保护膜形成剂、和使用该保护膜形成剂的半导体芯片的制造方法。

用于解决课题的手段

本申请的发明人发现，通过在包含水溶性树脂(A)、吸光剂(B)、和溶剂(S)的保护膜形成剂中使用特定结构的化合物作为吸光剂(B)，能够解决上述课题，从而完成了本发明。更具体而言，本发明提供以下的方案。

本发明的第1方式为保护膜形成剂，其是在半导体晶片的切割中、用于在半导体晶片的表面形成保护膜的保护膜形成剂，

所述保护膜形成剂包含水溶性树脂(A)、吸光剂(B)、和溶剂(S)，

吸光剂(B)包含下式(B1)表示的化合物：