[发明专利]一种具有电场调制区域的UMOSFET结构

权利要求书

1.一种具有电场调制区域的UMOSFET结构，其特征在于，包括：由下到上依次层叠设置的N+衬底、N-漂移区、电流扩展层、P-体区，所述P-体区上表并列设有N+源区和P+源区；所述具有电场调制区域的UMOSFET结构还包括沟槽，所述沟槽贯穿所述N+源区、P-体区、电流扩展层，所述沟槽底部位于所述N-漂移区内；所述沟槽下方设有P+屏蔽层，所述沟槽内壁设有栅极氧化膜；所述栅极氧化膜内部设有栅极，所述N+衬底下表面设有漏极，所述N+源区、P+源区上表面设有源极；所述P-体区下方设有电场调制区域，所述电场调制区域贯穿所述电流扩展层，所述电场调制区域底部位于所述N-漂移区内；所述电场调制区域与所述沟槽之间设有间隙；所述电场调制区域包括内嵌有P型区的N型区。

2.根据权利要求1所述的具有电场调制区域的UMOSFET结构，其特征在于，所述P型区的掺杂浓度高于所述P-体区的掺杂浓度，且所述P型区的掺杂浓度低于所述P+源区的掺杂浓度。

3.根据权利要求1所述的具有电场调制区域的UMOSFET结构，其特征在于，所述P型区的底部与所述源极之间的距离大于所述P+屏蔽层底部与所述源极之间的距离。

4.根据权利要求1所述的具有电场调制区域的UMOSFET结构，其特征在于，所述N型区的掺杂浓度高于所述N-漂移区的掺杂浓度，且所述N型区的掺杂浓度低于所述N+源区的掺杂浓度。

5.根据权利要求1所述的具有电场调制区域的UMOSFET结构，其特征在于，N型区的底部与P型区的底部存在间距。

6.根据权利要求1～5任一项所述的具有电场调制区域的UMOSFET结构，其特征在于，所述具有电场调制区域的UMOSFET结构的制作方法包括：

制作漏极、N+衬底、N-漂移区、电流扩展层；

通过离子注入形成电场调制区域的N型区，并通过离子注入在N型区中形成P型区；

通过外延生长形成P-体区，并通过离子注入形成P+源区、N+源区；

通过刻蚀形成沟槽，并在沟槽底部通过离子注入形成P+屏蔽层；

在沟槽内壁使用热氧化工艺形成栅极氧化膜，并在沟槽内沉积多晶硅形成栅电极，在P+源区、N+源区上制作源极，完成具有电场调制区域的UMOSFET的制作。