[发明专利]半导体组件在审
| 申请号： | 202010711319.0 | 申请日： | 2020-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN113707629A | 公开（公告）日： | 2021-11-26 |
| 发明（设计）人： | 涂清镇 | 申请（专利权）人： | 南茂科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 朱颖;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 组件 | ||
1.一种半导体组件，其特征在于，包括：
半导体晶圆，具有承载面；
导电层与介电层，位于所述承载面上，其中：
所述导电层与所述半导体晶圆电性连接；
所述介电层覆盖所述导电层，并具有第一开口与第二开口；
所述第一开口与所述第二开口暴露出部分所述导电层；
所述第一开口的底部相对于所述承载面的高度大于所述第二开口的底部相对于所述承载面的一高度；
所述第一开口大于所述第二开口；
第一导电端子，位于所述第一开口并与所述导电层电性连接；以及
第二导电端子，位于所述第二开口并与所述导电层电性连接。
2.根据权利要求1所述的半导体组件，其特征在于，所述第一导电端子的一顶面与所述第二导电端子的顶面实质上共平面。
3.根据权利要求1所述的半导体组件，其特征在于，第一导电端子的高度小于所述第二导电端子的高度。
4.根据权利要求1所述的半导体组件，其特征在于，所述第一开口与所述第二开口的比值范围介于一点零五比一至二比一之间。
5.根据权利要求1所述的半导体组件，其特征在于，还包括凸出图案，位于所述第一开口与所述承载面之间。
6.根据权利要求1所述的半导体组件，其特征在于，还包括：
第一导电柱，位于所述第一开口且于所述第一导电端子与所述导电层之间；
第二导电柱，位于所述第二开口且于所述第二导电端子与所述导电层之间。
7.根据权利要求6所述的半导体组件，其特征在于，所述第一导电柱的高度与所述第二导电柱的高度实质上相等。
8.根据权利要求1所述的半导体组件，其特征在于，所述半导体晶圆包括第一区域与第二区域，所述第一开口与所述第二开口分别位于所述第一区域与所述第二区域上，且所述第二区域上的所述介电层向上延伸至所述第一区域上的所述介电层。
9.根据权利要求8所述的半导体组件，其特征在于，所述第一区域上的所述介电层的高度大于所述第二区域上的所述介电层的高度。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的半导体组件，其特征在于，还包括：
第一球底金属层，位于所述第一开口且位于所述第一导电端子与所述导电层之间；以及
第二球底金属层，位于所述第二开口且位于所述第二导电端子与所述导电层之间。
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