[发明专利]一种单晶PBN坩埚处理工艺

权利要求书

1.一种单晶PBN坩埚处理工艺，其特征在于，所述处理工艺在坩埚投料和充氧烘烤之间还进行了一次清洗、预烘烤、二次清洗步骤，所述处理工艺的具体步骤为：

坩埚投料：检查坩埚使用情况，挑选合格的坩埚；

一次清洗：酸洗，将挑选得到的坩埚于第一混酸溶液中浸泡10-15min后取出，用800目金刚石砂纸打磨；碱洗，将打磨完成的坩埚于碱液中浸泡10-15min后取出，用去离子水清洗干净；超声振洗，将经过碱洗的坩埚置于超声波清洗机中超声振洗3次，清洗完成；

预烘烤：将清洗干净的坩埚放入干净的石英管内，升温至200-250℃，保温0.5-1h，再升温至700-800℃真空保温1-2h，最后升温至900-950℃充氧保温3-4h；

醇处理：常温下，将烘烤后的坩埚于无水甲醇中浸泡8-16h；

二次清洗：与一次清洗操作相同；

充氧烘烤：与预烘烤的操作相同；

将经过充氧烘烤的坩埚用于单晶生长，生长完成脱模后对坩埚进行后清洗维修处理，并对坩埚进行检查、测量。

2.根据权利要求1所述的一种单晶PBN坩埚处理工艺，其特征在于，所述碱液的原料包括氨水、双氧水和去离子水，所述氨水、双氧水、去离子水的体积比为2:1:1。

3.根据权利要求2所述的一种单晶PBN坩埚处理工艺，其特征在于，所述后清洗维修具体为：将使用后的坩埚于常温下浸泡在第二混酸溶液中，至坩埚表面的大颗粒杂质脱除，捞出，将坩埚表面因脱模产生的分层与脱皮处理干净，使其坩埚表面平整。

4.根据权利要求3所述的一种单晶PBN坩埚处理工艺，其特征在于，所述第一混酸溶液和第二混酸溶液原料均包括硝酸、氢氟酸和去离子水，所述硝酸、氢氟酸、去离子水的体积比为4:2:1。