[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示面板及设备

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括栅极、栅极绝缘层、有源层以及保护层；

其中，所述有源层设置在所述栅极绝缘层的一侧，所述栅极设置在所述栅极绝缘层背离所述有源层的另一侧，所述栅极的方块电阻值小于等于预设方块电阻值，所述栅极至少包括第一金属层；

所述保护层至少覆盖所述第一金属层的裸露表面，以防止所述第一金属层被氧化。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述第一金属层的材料选自铜、铝中的至少一种；

所述保护层的材料选自钼、钛及它们的合金或混合物、钼铌合金中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述栅极还包括第二金属层和第三金属层，所述第二金属层、所述第一金属层和所述第三金属层依次层叠设置，且所述第二金属层与所述栅极绝缘层接触设置；

其中，所述第二金属层、所述第一金属层和所述第三金属层的截面均呈上窄下宽的梯形状，且所述栅极的各个金属层靠近所述栅极绝缘层的表面为所述梯形的底面。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述第一金属层的材料选自铜、铝中的至少一种；

所述第二金属层、所述第三金属层的材料选自钛或含钛合金。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述保护层完全覆盖所述栅极的外表面，且所述保护层至少部分覆盖裸露的所述栅极绝缘层。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述有源层包括沟道区、位于所述沟道区一侧的源极掺杂区、以及位于所述沟道区相对另一侧的漏极掺杂区；

其中，所述栅极在所述栅极绝缘层上的投影与所述沟道区在所述栅极绝缘层上的投影重合；

所述保护层的截面形状呈上窄下宽的梯形，所述保护层与所述栅极绝缘层接触的表面为梯形的底面，所述保护层在所述栅极绝缘层上的投影覆盖所述沟道区在所述栅极绝缘层上的投影。

7.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供栅极，其中，所述栅极的方块电阻值小于等于预设方块电阻值，所述栅极至少包括第一金属层；

在所述栅极一侧形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层背离所述栅极的一侧形成有源层；

在所述栅极上形成保护层，其中，所述保护层至少覆盖所述第一金属层的裸露表面，以防止所述第一金属层被氧化。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，

所述第一金属层的材料选自铜、铝中的至少一种；

所述保护层的材料选自钼、钛及它们的合金或混合物、钼铌合金中的至少一种。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，

所述栅极还包括第二金属层和第三金属层，所述第二金属层、所述第一金属层和所述第三金属层依次层叠设置，且所述第二金属层与所述栅极绝缘层接触设置；

其中，所述第二金属层、所述第一金属层和所述第三金属层的截面均呈上窄下宽的梯形状，且所述栅极的各个金属层靠近所述栅极绝缘层的表面为所述梯形的底面。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，

所述第一金属层的材料选自铜、铝中的至少一种；

所述第二金属层、所述第三金属层的材料选自钛或含钛合金。

11.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在用于形成所述栅极的第一介质层上形成第一光刻胶层；

利用第一掩膜版对所述第一光刻胶层进行曝光，其中所述第一光刻胶层的保留区域对应所述栅极；

进行刻蚀工艺，去除掉部分曝光区域的所述第一介质层，形成所述栅极。