[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示面板及设备

说明书

本申请涉及显示技术领域，具体公开了一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示面板及电子设备，该薄膜晶体管包括栅极、栅极绝缘层、有源层以及保护层；其中，有源层设置在栅极绝缘层的一侧，栅极设置在栅极绝缘层背离有源层的另一侧，栅极的方块电阻值小于等于预设方块电阻值，栅极至少包括第一金属层；保护层至少覆盖第一金属层的裸露表面，以防止第一金属层被氧化。通过上述方式，能够减少栅极上的RC延迟，改善显示装置画面闪烁不均匀的问题。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，特别是涉及一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示面板及设备。

背景技术

现有技术中，低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon，LTPS)面板在智能手机、平板电脑上已获得广泛应用。由于栅极本身具有既定的电阻，而薄膜晶体管的栅极与漏极之间也会产生寄生电容，此电阻与电容将形成电阻-电容延迟(RC延迟)电路。

基于显示面板朝着大尺寸、高分辨率方向的发展趋势，对显示面板内部的走线宽度提出了更高的要求——栅极宽度越来越小、栅极长度越来越长，这就造成了每根栅极的负载越来越大、充电时间越来越小、像素密度越来越大，显示面板内部的RC延迟很难控制在很小的范围内，在RC延迟过大的情况下，GOA电路无法正常输入栅极扫描信号，从而造成显示面板出现显示不良的问题。

发明内容

基于此，本申请提供一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示面板及电子设备，以减少栅极上的RC延迟，改善显示装置画面闪烁不均匀的问题。

第一方面，本申请实施例提供了一种薄膜晶体管，包括栅极、栅极绝缘层、有源层以及保护层；其中，有源层设置在栅极绝缘层的一侧，栅极设置在栅极绝缘层背离有源层的另一侧，栅极的方块电阻值小于等于预设方块电阻值，栅极至少包括第一金属层；保护层至少覆盖第一金属层的裸露表面，以防止第一金属层被氧化。

第二方面，本申请实施例提供了一种薄膜晶体管的制造方法，该方法包括：提供栅极，其中，栅极的方块电阻值小于等于预设方块电阻值，栅极至少包括第一金属层；在栅极一侧形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层背离栅极的一侧形成有源层；在栅极上形成保护层，其中，保护层至少覆盖第一金属层的裸露表面，以防止第一金属层被氧化。

第三方面，本申请实施例提供了一种阵列基板，包括基底以及设置在基底上的多个像素单元，多个像素单元阵列排列，且每个像素分别包括如前述的薄膜晶体管以及与薄膜晶体管电性连接的像素电极。

第四方面，本申请实施例提供了一种显示面板，包括如前述的阵列基板、与阵列基板相对设置的彩膜基板以及设置于阵列基板与彩膜基板之间的间隔物；其中，间隔物用于支撑阵列基板和彩膜基板。

第五方面，本申请实施例提供了一种电子设备，包括后盖、盖板、如前述的显示面板、用于驱动显示面板的驱动电路以及用于向显示面板提供背光源的背光模组；显示面板、驱动电路以及背光模组安装在后盖上，盖板覆盖显示面板。

本申请的有益效果是：区别于现有技术的情况，本申请提供一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示面板及电子设备，其中，该薄膜晶体管的栅极的方块电阻值小于等于预设方块电阻值，即减少栅极的整体电阻，从而改进栅极信号线上的RC延迟，改善显示装置画面闪烁不均匀的问题。此外，本申请采用保护层覆盖第一金属层的裸露表面，因此，在后续高温制程中，第一金属层由于受到保护层的保护而不会被环境中的氧气以及其它氧化物氧化，最大程度地提高栅极的稳定性，保证栅极的低方块电阻值。

附图说明

图1是本申请薄膜晶体管第一实施例的结构示意图；

图2是本申请薄膜晶体管第二实施例的结构示意图；

图3是本申请薄膜晶体管第三实施例的结构示意图；

图4是本申请薄膜晶体管第四实施例的结构示意图；