[发明专利]显示基板及其测试方法、显示装置有效
申请号: | 202010714082.1 | 申请日: | 2020-07-22 |
公开(公告)号: | CN111816685B | 公开(公告)日: | 2022-12-13 |
发明(设计)人: | 麻清琳;赵言;孙禄标;见帅敏;董蕊;付焕章 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;绵阳京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;G01B11/03 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 测试 方法 显示装置 | ||
1.一种显示基板,其特征在于,所述显示基板具有显示区和设置在显示区周边的周边区;
所述显示基板包括:
衬底;
设置于所述衬底上的第一图案层,所述第一图案层可反光,所述第一图案层包括位于所述显示区的第一图案和位于所述周边区的第一保留图案,所述第一保留图案上具有镂空部;
设置于所述衬底上且位于所述第一图案层远离所述衬底一侧的至少一个第二图案层,每个第二图案层包括位于所述显示区的第二图案和位于所述周边区的第二保留图案,第一保留图案在所述衬底上的正投影覆盖所述第二保留图案在所述衬底上的正投影,所述第二保留图案在所述衬底上的正投影与所述镂空部在所述衬底上的正投影不重叠。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第一保留图案包括:间隔设置的第一子图案和第二子图案,所述第一子图案上具有所述镂空部,所述第二子图案在所述衬底上的正投影覆盖所述第二保留图案在所述衬底上的正投影;
或者,
所述第一保留图案在所述衬底上的投影具有一条封闭的外轮廓线,所述镂空部和所述第一保留图案在所述衬底上的正投影均在所述的外轮廓线以内。
3.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板包括:多个所述第二图案层,不同第二图案层中的第二保留图案在所述衬底上的正投影的不重叠。
4.根据权利要求1~3任一项所述的显示基板,其特征在于,显示区包括多个子像素区;
所述第一图案层包括第一电极层,一个第一图案为位于一个子像素区中的第一电极;
所述第二图案层包括发光层,一个第二图案为位于一个子像素区中的发光图案。
5.根据权利要求4所述的显示基板,其特征在于,
多个子像素区包括:第一颜色子像素区、第二颜色子像素区和第三颜色子像素区;
所述显示基板包括多个所述发光层,多个所述发光层包括:第一发光层、第二发光层和第三发光层;
所述第一发光层包括位于所述第一颜色子像素区的第一发光图案和位于周边区的第一发光保留图案;所述第二发光层包括位于所述第二颜色子像素区的第二发光图案和位于周边区的第二发光保留图案;所述第三发光层包括:位于所述第三颜色子像素区的第三发光图案和位于周边区的第三发光保留图案;第一发光保留图案和第二发光保留图案和第三发光保留图案均为所述第二保留图案。
6.根据权利要求5所述的显示基板,其特征在于,
多个所述发光层还包括:第四发光图案层和第五发光图案层;
所述第四发光图案层包括位于所述第一颜色子像素区的第四发光图案和位于周边区的第四发光保留图案;所述第五发光图案层包括位于所述第二颜色子像素区的第五发光图案和第五发光保留图案。
7.根据权利要求5或6所述的显示基板,其特征在于,
在多个所述发光层包括第一发光层、第二发光层和第三发光层的情况下,所述第一发光保留图案、所述第二发光保留图案和所述第三发光保留图案并排设置;
在多个所述发光层还包括第四发光图案层和第五发光图案层的情况下,所述第一发光保留图案、所述第二发光保留图案、所述第三发光保留图案、所述第四发光保留图案和所述第五发光保留图案并排设置。
8.根据权利要求1-3、5和6任一项所述的显示基板,其特征在于所述镂空部包括沿第一方向设置的至少一对第一镂空部和沿第二方向设置的至少一对第二镂空部;
一对所述第一镂空部和一对所述第二镂空部在所述第二保留图案上具有交点,所述交点在所述第一保留图案在所述第二保留图案上的投影内;
其中,所述第一方向与所述第二方向交叉设置。
9.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-8任一项所述的显示基板。
10.一种显示基板的测试方法,其特征在于,所述显示基板包括:如权利要求8所述的显示基板;
所述显示基板的测试方法包括:
获取一对所述第一镂空部和一对所述第二镂空部的交点的第一中心坐标(x1,y1);
获取所述第二保留图案的第二中心坐标(x2,y2);
利用下式计算所述第一保留图案和所述第二保留图案之间的偏移量:
(Δx,Δy)=(|x1-x2|,|y1-y2|)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的