[发明专利]一种MMG掩模板的制作方法在审
申请号: | 202010714162.7 | 申请日: | 2020-07-23 |
公开(公告)号: | CN111830783A | 公开(公告)日: | 2020-10-27 |
发明(设计)人: | 李春兰 | 申请(专利权)人: | 合肥清溢光电有限公司 |
主分类号: | G03F1/68 | 分类号: | G03F1/68 |
代理公司: | 北京科家知识产权代理事务所(普通合伙) 11427 | 代理人: | 宫建华 |
地址: | 230012 安徽省合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 mmg 模板 制作方法 | ||
本发明实施例涉及光刻技术领域,公开了一种MMG掩模板的制作方法,该方法通过制作MMG掩模板的数据;分析数据中像素间隔值,将数据中X轴方向像素间隔值相同或/和Y轴方向像素间隔值相同的panel划分为同一曝光区域;将同一曝光区域内所有panel设计到同一图层;设置每个曝光区域的曝光参数,并在设置好曝光参数后进行格式转换;投入MMG掩模板原材料,根据转换后的曝光参数,按照曝光参数,依序对每个同一图层进行曝光;之后依照常规掩模板制作流程进行生产,直至获得MMG掩模板,本发明实施例提供的MMG掩模板的制作方法,在不需要通过光刻机设备自带收费软件功能,实现了MMG掩模板的制作,降低了生产成本。
技术领域
本发明实施例涉及光刻技术领域,特别是涉及一种MMG掩模板的制作方法。
背景技术
MMG掩模板(multi model on glass)作为生产TFT-LCD/AMOLED的一道关键材料之一,近年来对其在制作技术提高的方面也越来越受重视,尤其对在制作MMG布局设计的产品时。所谓MMG产品,是指TFT-LCD/AMOLED面板厂在同一张掩模板上同时设计几种类型规格的panel,而且要求每一种规格的panel均保证产品品质,保证产品品质是指条纹管控及线条精度均匀性控制等方面。对掩模板制作公司来说,通过对MMG这类布局掩模板产品技术的开发,不仅增加了这类订单的生产数量,同时也进步体现在掩模板制作行业内的竟争力提升。
普通掩模板产品,即掩模板上只布局一款panel或者对布局的很多规格panel不做品质要求管控的产品,如图1所示,对其曝光时,通常在设计环节不需要其他辅助设计方面的操作,只需在曝光参数设置该掩模板panel曝光参数,然后对其曝光格式转换,进步完成扫描曝光。既其制作过程为:掩模板制作数据、数据曝光前参数设置、曝光数据格式转换、掩模板原材料投入、曝光、显影、刻蚀、测量、检查、修补、贴膜、包装和出货。
目前对于如图2所示MMG掩模板制作方法是通过光刻机设备自带的软件功能,也能达到MMG方式产品的掩模板品质。其生产制作流程与普通掩模板生产流程大致相同,都是在设计环节不需要采取其他辅助设计,只需要在参数设置环节时,对需要控制品质不同区域的分界坐标点在曝光前参数设置界面设置上。在曝光时,光刻机镜头通过已经设置的坐标点进行曝光。每完成一个区域,镜头参照设置的坐标位置移动到下一个区域,在设置开始曝光点的位置开始曝光。然而这种功能是光刻机软件额外的服务项目,是需要向设备供应商额外付费购买这项服务功能。
因此,亟需一种不需要通过光刻机设备自带收费软件功能的MMG掩模板的制作方法,以完成MMG掩模板制作。
发明内容
本发明实施例主要解决的技术问题是提供一种MMG掩模板的制作方法,能够解决现有MMG掩模板制作需要通过光刻机设备自带收费软件功能,成本高的问题。
为解决上述技术问题,本发明实施例采用的一个技术方案是:提供一种MMG掩模板的制作方法,所述方法包括:
制作MMG掩模板的数据,所述数据包括每个显示屏panel的X轴方向像素间隔值及Y轴方向像素间隔值;
分析所述数据中像素间隔值,将所述数据中X轴方向像素间隔值相同或/和Y轴方向像素间隔值相同的panel划分为同一曝光区域;
将同一所述曝光区域内所有panel设计到同一图层,或者设置每个所述曝光区域对应的遮盖图层;
设置每个所述曝光区域的曝光参数,并在所述曝光参数设置后进行格式转换;
投入MMG掩模板原材料,根据转换后的所述曝光参数,按照所述曝光参数,依序对每个同一图层进行曝光,或者遮盖图层以外的曝光区域进行曝光;
依照常规掩模板制作流程进行生产,直至获得MMG掩模板。
进一步地,所述曝光区域的数量为任意多个,且大于1。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
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G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备