[发明专利]静电放电保护电路在审
申请号: | 202010715708.0 | 申请日: | 2020-07-23 |
公开(公告)号: | CN112397501A | 公开(公告)日: | 2021-02-23 |
发明(设计)人: | 孔珉喆 | 申请(专利权)人: | 硅工厂股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L23/60 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 刘久亮;黄纶伟 |
地址: | 韩国大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 静电 放电 保护 电路 | ||
1.一种静电放电ESD保护电路,该ESD保护电路包括:
多个晶体管,每个晶体管包括栅极端子、漏极端子和源极端子;
第一连接线,该第一连接线连接到所述多个晶体管的所述漏极端子;
第二连接线,该第二连接线连接到所述多个晶体管的所述源极端子;
第三连接线,该第三连接线连接到所述多个晶体管的所述栅极端子;
外部电阻器,该外部电阻器连接到所述第三连接线;以及
接地端子,该接地端子连接到所述外部电阻器,
其中,所述外部电阻器包括彼此并联连接的第一电阻器和第二电阻器。
2.根据权利要求1所述的ESD保护电路,其中,
所述第一电阻器设置在所述多个晶体管中的每一个的一侧的外部,并且所述第二电阻器设置在所述多个晶体管中的每一个的另一侧的外部,并且
所述第一电阻器和所述第二电阻器在与所述栅极端子的延伸方向相同的方向上延伸。
3.根据权利要求1所述的ESD保护电路,其中,
所述第三连接线包括与所述栅极端子中的每一个的一端连接的一侧的第三连接线和与所述栅极端子中的每一个的另一端连接的另一侧的第三连接线,并且
所述第一电阻器连接到所述一侧的第三连接线,并且所述第二电阻器连接到所述另一侧的第三连接线。
4.根据权利要求3所述的ESD保护电路,其中,
所述一侧的第三连接线包括第一连接部分和第二连接部分,所述第一连接部分连接到所述栅极端子中的每一个的所述一端,并且所述第二连接部分将所述第一连接部分连接到所述第一电阻器的一端,并且
所述另一侧的第三连接线包括第一连接部分和第二连接部分,所述另一侧的第三连接线的所述第一连接部分连接到所述栅极端子中的每一个的所述另一端,并且所述另一侧的第三连接线的所述第二连接部分将所述另一侧的第三连接线的所述第一连接部分连接到所述第二电阻器的一端。
5.根据权利要求4所述的ESD保护电路,其中,
所述一侧的第三连接线的所述第一连接部分与所述第一连接线相交,并且
所述另一侧的第三连接线的所述第一连接部分与所述第二连接线相交。
6.根据权利要求4所述的ESD保护电路,其中,所述一侧的第三连接线的所述第二连接部分、所述另一侧的第三连接线的所述第二连接部分、所述第一连接线和所述第二连接线设置在相同层上并且包括相同导电材料。
7.根据权利要求1所述的ESD保护电路,该ESD保护电路还包括:
接地线,该接地线设置在所述多个晶体管的外部;
一侧的第四连接线,该一侧的第四连接线将所述接地线连接到所述第一电阻器;以及
另一侧的第四连接线,该另一侧的第四连接线将所述接地线连接到所述第二电阻器。
8.根据权利要求7所述的ESD保护电路,其中,所述一侧的第四连接线、所述另一侧的第四连接线、所述第一连接线和所述第二连接线设置在相同层上并且包括相同导电材料。
9.根据权利要求1所述的ESD保护电路,其中,
所述第一电阻器和是第二电阻器中的每一个包括电阻组件、连接到所述电阻组件的一端的第一电极和连接到所述电阻组件的另一端的第二电极,并且
所述电阻组件设置在与所述栅极端子相同的层上,并且包括与所述栅极端子的材料相同的材料。
10.根据权利要求1所述的ESD保护电路,其中,所述第一连接线包括多个第一连接部分和连接所述多个第一连接部分的第二连接部分,所述多个第一连接部分连接到所述漏极端子以在与所述漏极端子的延伸方向相同的方向上延伸。
11.根据权利要求1所述的ESD保护电路,其中,所述多个晶体管包括共享所述源极端子或所述漏极端子的两个相邻晶体管。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的