[发明专利]半导体发光元件

说明书

本公开涉及半导体发光元件，其包括：外部基板，其具备底部以及与第一半导体发光元件芯片的电极以及第二半导体发光元件芯片的电极电连接的导电层；第一半导体发光元件芯片，其设置在外部基板，并且具备包括通过电子和空穴的再结合而生成紫外线的有源层的多个半导体层以及与多个半导体层电连接的电极；透镜，其形成为包围第一半导体发光元件芯片，从而折射来自第一半导体发光元件芯片的紫外线，并且上述透镜形成规定范围的取向角；以及第二半导体发光元件芯片，其设置在外部基板，并且具备包括通过电子和空穴的再结合而生成可见光的有源层的多个半导体层以及与多个半导体层电连接的电极，并且第二半导体发光元件芯片位于被透镜折射的取向角外。

技术领域

本公开(Disclosure)整体涉及半导体发光元件，尤其涉及光提取效率较高的半导体发光元件。

背景技术

在这里，提供关于本公开的背景技术，这些并不代表公知技术(This sectionprovides background information related to the present disclosure which isnot necessarily ypriora rt)。

图1是示出现有的半导体发光元件的一例的图。

半导体发光元件芯片包括生长基板610(如蓝宝石基板)以及依次沉积在生长基板610上的如下多个半导体层：缓冲层620、具有第一导电性的第一半导体层630(如n型GaN层)、通过电子和空穴的再结合而产生光的有源层640(如INGaN/(In)GaNMQWs)、具有与第一导电性不同的第二导电性的第二半导体层650(如p型GaN层)，在其上形成有用于电流扩散的透光性传导膜660以及起到焊盘作用的电极670，蚀刻而露出的第一半导体层630上形成有起到焊盘作用的电极680(如Cr/Ni/Au层叠金属垫)。将如图1所示的方式的半导体发光元件特指为横向芯片(Lateral Chip)。其中，生长基板610侧成为与外部电连接时的安装面。在本说明书中，半导体发光元件芯片或者半导体发光元件所电连接的外部表示PCB(Printed Circuit Board：印刷电路板)、热沉(sub mount)、TFT(Thin Film Transistor：薄膜晶体管)等。

图2是美国授权专利公报第7,262,436号公开的半导体发光元件芯片的另一例子的示意图。为了便于说明，修改了附图标记。

半导体发光元件芯片包括生长基板610以及依次沉积在生长基板610上的具有第一导电性的第一半导体层630、通过电子和空穴的再结合生成光的有源层640、具有与第一导电性不同的第二导电性的第二半导体层650，在其上形成有用于向生长基板610侧反射光的三层的电极膜690、691、692。第一电极膜690可以是Ag反射膜，第二电极膜691可以是Ni扩散防止膜，第三电极膜692可以是Au接合层。蚀刻而露出的第一半导体层630上形成有起到焊盘的作用的电极680。其中，电极膜692侧将变成与外部电连接时的安装面。将如图2示出的方式的半导体发光元件芯片特指为倒装芯片(Flip Chip)。在图2示出的倒装芯片中，形成在第一半导体层630上的电极680位于比形成在第二半导体层上的电极膜690、691、692更低的高度，但是，还可以形成在相同的高度。在这里，高度的标准可以是从生长基板10起的高度。

图3是示出现有的半导体发光元件的一例的图。