[发明专利]半导体模块装置

权利要求书

1.一种半导体模块装置，包括：

壳体(17)；以及

布置在所述壳体(17)内部的至少一对半导体衬底(10a，10b)，其中，每对半导体衬底(10a，10b)包括第一半导体衬底(10a)和第二半导体衬底(10b)，其中，

所述第一半导体衬底(10a)包括布置在第一金属化层(111)和第三金属化层(113)之间的第一电介质绝缘层(11a)、以及布置在所述第三金属化层(113)和第二金属化层(112)之间的第二电介质绝缘层(11b)，

所述第二半导体衬底(10b)包括布置在第一金属化层(111)和第三金属化层(113)之间的第一电介质绝缘层(11a)、以及布置在所述第三金属化层(113)和第二金属化层(112)之间的第二电介质绝缘层(11b)，

所述第一半导体衬底(10a)的所述第三金属化层(113)电耦合到第一电势(DC+)，并且

所述第二半导体衬底(10b)的所述第三金属化层(113)电耦合到与所述第一电势(DC+)相反的第二电势(DC-)。

2.根据权利要求1所述的半导体模块装置，其中，所述第一电势(DC+)是正电势，并且所述第二电势(DC-)是负电势。

3.根据权利要求1或2所述的半导体模块装置，还包括至少第一可控半导体元件(S1)和第二可控半导体元件(S2)。

4.根据权利要求3所述的半导体模块装置，其中，

所述第一可控半导体元件(S1)布置在所述第一半导体衬底(10a)上，并且包括控制电极和形成在第一负载电极和第二负载电极之间的负载路径，并且

所述第二可控半导体元件(S2)布置在所述第二半导体衬底(10b)上，并且包括控制电极和形成在第一负载电极和第二负载电极之间的负载路径。

5.根据权利要求4所述的半导体模块装置，其中，所述第一可控半导体元件(S1)的所述负载路径和所述第二可控半导体元件(S2)的所述负载路径串联耦合，并且耦合在所述第一电势(DC+)和所述第二电势(DC-)之间。

6.根据权利要求4或5所述的半导体模块装置，其中，

所述第一可控半导体元件(S1)通过导电连接层(130)电耦合到所述第一半导体衬底(10a)的所述第一金属化层(111)；

所述第一可控半导体元件(S1)通过至少一个电连接部(13)进一步电耦合到所述第二半导体衬底(10b)的所述第一金属化层(111)；

所述第二半导体衬底(10b)的所述第一金属化层(111)包括至少第一区段(111₁)和第二区段(111₂)；

所述第二可控半导体元件(S2)通过导电连接层(130)电耦合到所述第二半导体衬底(10b)的所述第一金属化层(111)的所述第一区段(111₁)，并且

所述第二可控半导体元件(S2)通过至少一个电连接部(13)进一步电耦合到所述第二半导体衬底(10b)的所述第一金属化层(111)的所述第二区段(111₂)。