[发明专利]半导体模块装置

说明书

一种半导体模块装置包括壳体和布置在壳体内部的至少一对半导体衬底。每对半导体衬底包括第一半导体衬底和第二半导体衬底。第一半导体衬底包括布置在第一金属化层与第三金属化层之间的第一电介质绝缘层、以及布置在所述第三金属化层与第二金属化层之间的第二电介质绝缘层。第二半导体衬底包括布置在第一金属化层与第三金属化层之间的第一电介质绝缘层、以及布置在所述第三金属化层与第二金属化层之间的第二电介质绝缘层。第一半导体衬底的第三金属化层电耦合到第一电势，并且第二半导体衬底的第三金属化层电耦合到与第一电势相反的第二电势。

技术领域

本公开涉及包括可控半导体元件的半导体模块装置。

背景技术

功率半导体模块装置往往包括布置在壳体中的至少一个半导体衬底。包括多个可控半导体元件(例如，半桥配置的两个晶体管元件)的半导体装置布置在至少一个衬底上。每个衬底通常包括衬底层(例如，陶瓷层)、沉积在衬底层的第一侧上的第一金属化层和沉积在衬底层的第二侧上的第二金属化层。可控半导体元件例如安装在第一金属化层上。第二金属化层可以可选地附接到基板。可控半导体元件通常通过焊接或烧结技术安装到半导体衬底。

需要一种具有令人满意的电磁兼容性(EMC)促进特性的半导体模块装置，该半导体模块装置易于制造而无需添加制造步骤，并且即使对于高反向电压等级也能满足对绝缘电压的要求。

发明内容

一种半导体模块装置包括壳体和布置在壳体内部的至少一对半导体衬底。每对半导体衬底包括第一半导体衬底和第二半导体衬底。所述第一半导体衬底包括布置在第一金属化层与第三金属化层之间的第一电介质绝缘层、以及布置在所述第三金属化层与第二金属化层之间的第二电介质绝缘层。第二半导体衬底包括布置在第一金属化层与第三金属化层之间的第一电介质绝缘层、以及布置在第三金属化层与第二金属化层之间的第二电介质绝缘层。第一半导体衬底的第三金属化层电耦合到第一电势，并且第二半导体衬底的第三金属化层电耦合到与第一电势相反的第二电势。

参考以下附图和说明书可以更好地理解本发明。附图中的部件不一定按比例绘制，而是将重点放在说明本发明的原理上。在附图中，类似的附图标记在不同的视图中指示对应的部分。

附图说明

图1示意性地示出了半导体模块装置的截面图。

图2示意性地示出了示例性多层半导体衬底的截面图。

图3示意性地示出了示例性半导体模块装置的截面图。

图4是示例性半导体装置的电路图。

图5是示例性半导体模块装置的俯视图。

图6是另一个示例性半导体模块装置的俯视图。

包括图7A至图7C的图7示出了根据另一个示例的半导体衬底的俯视图。

具体实施方式

在下面的具体实施方式中，参考了附图。附图示出了在其中可以实践本发明的具体示例。应当理解，除非另外特别指出，否则关于各个示例描述的特征和原理可以彼此组合。在说明书以及权利要求中，被指定为“第一元件”、“第二元件”、“第三元件”等的某些元件不应被理解为列举。相反，这样的指定仅用于提出不同的“元件”。换言之，例如，“第三元件”的存在不要求“第一元件”和“第二元件”的存在。如本文描述的电线可以是单个导电元件，或者包括串联和/或并联连接的至少两个个体的导电元件。电线可以包括金属和/或半导体材料，并且可以是永久导电的(即，不可切换的)。电线可以具有与流过其的电流的方向无关的电阻率。本文描述的半导体主体可以由(掺杂的)半导体材料制成，并且可以是半导体芯片或被包括在半导体芯片中。半导体主体具有电连接焊盘并且包括至少一个具有电极的半导体元件。焊盘电连接到电极，这包括焊盘是电极，并且反之亦然。