[发明专利]一种研磨平台的振动监测系统及振动监测方法在审
申请号: | 202010722645.1 | 申请日: | 2020-07-24 |
公开(公告)号: | CN113970370A | 公开(公告)日: | 2022-01-25 |
发明(设计)人: | 叶顺成 | 申请(专利权)人: | 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 |
主分类号: | G01H17/00 | 分类号: | G01H17/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆宗力 |
地址: | 250101 山东省济南市*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 研磨 平台 振动 监测 系统 方法 | ||
本申请公开了一种研磨平台的振动监测系统及振动监测方法,其中,所述研磨平台的振动检测系统在皮带的传送面两侧分别设置第一监测模块和第二监测模块,并利用第一监测模块向所述皮带的传送面发送监测信号,利用所述第二监测模块接收除被所述皮带遮挡的监测信号外剩余的监测信号,并根据接收到的监测信号监测所述皮带的异常状态,实现对研磨平台的工作状态的监测,为判断研磨平台的工作状态是否异常奠定了基础,解决了现有技术中由于皮带的异常振动而导致研磨平台对晶圆的异常研磨的问题,避免了因此问题而导致的晶圆破损或晶圆制程不良。
技术领域
本申请涉及半导体技术领域,更具体地说,涉及一种研磨平台的振动监测系统及振动监测方法。
背景技术
在芯片制造及晶圆加工过程中,化学机械抛光(Chemical MechanicalPolishing,CMP)是获得无划痕、平坦和无杂质玷污表面的重要步骤,该步骤也可称为研磨步骤。
在现有的研磨平台工作过程中,可能会由于传动系统的异常振动而导致研磨平台对晶圆的异常研磨,从而导致晶圆破损或晶圆制程不良。
发明内容
为解决上述技术问题,本申请提供了一种研磨平台的振动监测系统及振动监测方法,以解决现有技术中由于传动系统的异常振动而导致掩膜平台对晶圆的异常研磨的问题。
为实现上述技术目的,本申请实施例提供了如下技术方案:
一种研磨平台的振动监测系统,用于监测研磨平台的皮带,所述研磨平台的振动监测系统包括:
分别设置于所述皮带的传送面两侧的第一监测模块和第二监测模块;其中,
所述第一监测模块用于发送监测信号,所述第二监测模块用于根据接收到的监测信号监测所述皮带的异常状态。
可选的,所述第一监测模块的信号发送区域的长度大于所述皮带的宽度;
所述第二监测模块的信号接收区域的长度大于所述皮带的宽度。
可选的,所述第一监测模块的信号发送区域在所述皮带上的正投影完全覆盖所述皮带;
所述第二监测模块的信号接收区域在所述皮带上的正投影完全覆盖所述皮带。
可选的,所述第一监测模块发送的监测信号部分被所述皮带遮挡,剩余部分被所述第二监测模块接收。
可选的,所述第二监测模块根据接收的所述监测信号在所述信号接收区域上的分布,确定所述皮带是否出现异常状态,所述异常状态包括位置异常和振动异常。
可选的,还包括:控制模块;
所述第二监测模块还用于在确定所述皮带出现异常状态时,向所述控制模块发送第一停止指令;
所述控制模块,用于在接收到所述第一停止指令后,控制所述研磨平台停止工作。
可选的,所述第一监测模块还用于接收所述皮带反射的所述监测信号,并根据所述皮带反射的所述监测信号判断所述皮带是否出现振动异常。
可选的,所述第一监测模块还用于在判断所述皮带出现振动异常时,向所述控制模块发送第二停止指令;
所述控制模块,还用于在接收到所述第二停止指令后,控制所述研磨平台停止工作。
一种研磨平台的振动监测方法,用于监测掩膜平台的皮带,所述研磨平台的振动监测方法包括:
在所述皮带的传送面一侧,朝向所述皮带发送监测信号;
在所述皮带的传送面的另一侧,接收所述监测信号,并根据所述监测信号监测所述皮带的异常状态。
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