[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

第一栅极图案和第二栅极图案，在基底上在第一方向上彼此分隔开，第一栅极图案和第二栅极图案中的每个在第一方向上延伸；

分离图案，设置在第一栅极图案与第二栅极图案之间并且与第一栅极图案和第二栅极图案直接接触，分离图案在与第一方向交叉的第二方向上延伸；

第三栅极图案，在第二方向上与第一栅极图案分隔开，第三栅极图案在第一方向上延伸；以及

层间介电层，设置在第一栅极图案与第三栅极图案之间，

其中，分离图案包括与层间介电层的材料不同的材料，并且

分离图案的底表面具有不平坦的结构。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括与第一栅极图案的一个侧壁相邻的接触插塞，其中，

接触插塞在第一方向上延伸并且与分离图案毗邻，

分离图案的一部分延伸为与接触插塞的底表面接触，

分离图案的底表面在第一栅极图案与第二栅极图案之间具有第一深度，

分离图案的底表面在接触插塞下方具有第二深度，并且

第一深度大于第二深度。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括与第一栅极图案的一个侧壁相邻的接触插塞，

其中，接触插塞在第一方向上延伸并且与分离图案毗邻，并且

分离图案包括：

第一分离段，设置在第一栅极图案与第二栅极图案之间；以及

第一部，从第一分离段延伸且位于接触插塞下方，并且第一部与接触插塞的底表面接触。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，

第一分离段的底表面低于第一部的底表面，

第一分离段的顶表面高于第一部的顶表面，并且

第一分离段的厚度大于第一部的厚度。

5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，第一部的侧壁与接触插塞的侧壁分隔开，并且第一部的所述侧壁与接触插塞的所述侧壁相邻。

6.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，

分离图案还包括在远离第一部的方向上从第一分离段延伸的第二部，

第二部的顶表面与第一部的顶表面共面，并且

第二部的底表面高于第一分离段的底表面。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，所述半导体装置还包括在第一方向上与第三栅极图案分隔开的第四栅极图案，

其中，分离图案还包括与第二部接触的第二分离段，并且第二分离段位于第三栅极图案与第四栅极图案之间。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，

第二分离段的顶表面与第一分离段的顶表面共面，并且

第二分离段的底表面处于与第一分离段的底表面的高度相同的高度。

9.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，

分离图案还包括在远离第二部的方向上从第二分离段延伸的第三部，并且

第三部具有与第一部的厚度相同的厚度。

10.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

第一有源鳍和第二有源鳍，从基底突出并且彼此分隔开；

器件隔离层，覆盖基底的顶表面并且使第一有源鳍的顶表面和侧表面以及第二有源鳍的顶表面和侧表面暴露；

第一栅极图案，覆盖第一有源鳍的顶表面和侧表面；

第二栅极图案，在第一方向上与第一栅极图案分隔开并且覆盖第二有源鳍的顶表面和侧表面；

第一层间介电层，覆盖第一栅极图案的侧表面；以及

第一分离图案，在第一栅极图案与第二栅极图案之间设置在器件隔离层上，第一分离图案与第一栅极图案和第二栅极图案直接接触，

其中，第一分离图案包括与第一层间介电层的材料不同的材料，并且

第一分离图案包括：第一分离段，设置在第一栅极图案与第二栅极图案之间；以及第一部，从第一分离段延伸并且位于第一栅极图案的一个侧壁的外部。