[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

公开了半导体装置及其制造方法。半导体装置包括：第一栅极图案和第二栅极图案，在基底上在第一方向上彼此分隔开，并且在第一方向上延伸；分离图案，设置在第一栅极图案与第二栅极图案之间并且与第一栅极图案和第二栅极图案直接接触，并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸；第三栅极图案，在第二方向上与第一栅极图案分隔开，并且在第一方向上延伸；以及层间介电层，设置在第一栅极图案与第三栅极图案之间。分离图案包括与层间介电层的材料不同的材料。分离图案的底表面具有不平坦的结构。

本申请要求于2019年8月2日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0094554号韩国专利申请的优先权，所述韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。

技术领域

本发明构思涉及一种半导体装置及其制造方法，更具体地，涉及一种包括鳍式场效应晶体管的半导体装置及其制造方法。

背景技术

金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)是在非常大规模集成电路中广泛使用的半导体装置。随着半导体装置随电子工业的发展而变得越来越集成化，根据半导体装置的减小的设计规则，MOSFET已按比例缩小。MOSFET的按比例缩小会使半导体装置的操作特性劣化。因此，已经进行了各种研究以开发具有优异性能同时克服了与半导体装置的高集成度相关的问题的半导体装置的制造方法。

发明内容

本发明构思的示例实施例提供了一种具有增强的可靠性的半导体装置，并且还提供了一种制造半导体装置的方法，其中，该方法可以提高产率。

根据本发明构思的示例实施例，一种半导体装置可以包括：第一栅极图案和第二栅极图案，在基底上在第一方向上彼此分隔开，第一栅极图案和第二栅极图案中的每个在第一方向上延伸；分离图案，设置在第一栅极图案与第二栅极图案之间并且与第一栅极图案和第二栅极图案直接接触，分离图案在与第一方向交叉的第二方向上延伸；第三栅极图案，在第二方向上与第一栅极图案分隔开，第三栅极图案在第一方向上延伸；以及层间介电层，设置在第一栅极图案与第三栅极图案之间。分离图案可以包括与层间介电层的材料不同的材料。分离图案的底表面可以具有不平坦的结构。

根据本发明构思的示例实施例，一种半导体装置可以包括：第一有源鳍和第二有源鳍，从基底突出并且彼此分隔开；器件隔离层，覆盖基底的顶表面并且使第一有源鳍的顶表面和侧表面以及第二有源鳍的顶表面和侧表面暴露；第一栅极图案，覆盖第一有源鳍的顶表面和侧表面；第二栅极图案，在第一方向上与第一栅极图案分隔开并且覆盖第二有源鳍的顶表面和侧表面；第一层间介电层，覆盖第一栅极图案的侧表面；以及第一分离图案，在第一栅极图案与第二栅极图案之间设置在器件隔离层上，第一分离图案与第一栅极图案和第二栅极图案直接接触。第一分离图案可以包括与第一层间介电层的材料不同的材料。第一分离图案可以包括：第一分离段，设置在第一栅极图案与第二栅极图案之间；以及第一部，从第一分离段延伸并且位于第一栅极图案的一个侧壁的外部。

根据本发明构思的示例实施例，一种半导体装置可以包括：第一栅极图案和第二栅极图案，在基底上在第一方向上彼此分隔开；第一层间介电层，与第一栅极图案的侧壁接触；分离图案，设置在第一栅极图案与第二栅极图案之间并且与第一栅极图案和第二栅极图案直接接触；第一源极/漏极图案，定位为与第一栅极图案相邻；第二源极/漏极图案，定位为与第二栅极图案相邻；以及接触插塞，与第一源极/漏极图案的顶表面和第二源极/漏极图案的顶表面直接接触。分离图案可以包括与第一层间介电层的材料不同的材料。接触插塞的底表面可以具有不平坦的结构。