[发明专利]临时键合方法在审
| 申请号： | 202010723912.7 | 申请日： | 2020-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN111834280A | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 陈坦林;郭万里;刘天建;陈俊宇 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 临时 方法 | ||
1.一种临时键合方法，其特征在于，包括：
步骤S1：提供器件晶圆以及承载片，并通过键合胶将所述器件晶圆和所述承载片键合形成键合片；
步骤S2：对所述器件晶圆进行减薄，并暴露出所述键合片边缘的键合胶；
步骤S3：除去暴露出的键合胶。
2.如权利要求1所述的临时键合方法，其特征在于，在所述的步骤S1中，在通过键合胶将所述器件晶圆与所述承载片进行键合的步骤之前，还包括对所述器件晶圆进行修边。
3.如权利要求1所述的临时键合方法，其特征在于，在所述的步骤S3中，所述除去暴露出的键合胶的方法为：采用化学溶剂对所述暴露出的键合胶进行洗边处理。
4.如权利要求3所述的临时键合方法，其特征在于，所述化学溶剂包括有机溶剂。
5.如权利要求3所述的临时键合方法，其特征在于，在所述的步骤S3中，在采用化学溶剂对所述暴露出的键合胶进行洗边处理之前，还包括对所述化学溶剂进行加热处理。
6.如权利要求3所述的临时键合方法，其特征在于，在所述的步骤S3中，在采用化学溶剂对所述暴露出的键合胶进行洗边处理之后，还包括去离子水清洗。
7.如权利要求3所述的临时键合方法，其特征在于，在所述的步骤S3中，通过所述键合片的旋转速度和化学溶剂的喷涂量来控制除去的键合胶的宽度。
8.如权利要求3所述的临时键合方法，其特征在于，在所述的步骤S3中，采用化学溶剂对所述暴露出的键合胶进行洗边的时间为0.5min～5min。
9.如权利要求3所述的临时键合方法，其特征在于，在所述的步骤S3中，所述键合片的旋转速度为100r/min～2000r/min。
10.如权利要求1所述的临时键合方法，其特征在于，所述临时键合方法还包括：
步骤S4：对所述器件晶圆进行后续的背面制造工艺；
步骤S5：将所述器件晶圆从所述承载片上解键合。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
