[发明专利]临时键合方法

说明书

本发明提供了一种临时键合方法，包括：提供器件晶圆以及承载片，并通过键合胶将所述器件晶圆和所述承载片键合形成键合片；对所述器件晶圆进行减薄，并暴露出所述键合片边缘的键合胶；除去暴露出的键合胶。即在器件晶圆进行减薄之后，除去暴露出的键合胶，使得键合胶的面积不大于器件晶圆键合面积，从而减少后续制程的缺陷来源，同时，除胶步骤放在减薄之后可降低破边风险。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种临时键合方法。

背景技术

随着半导体器件向着高集成度、高性能化方向的发展，三维集成电路(3D IC)应运而生。此工艺中需要对晶圆进行减薄，晶圆减薄到100um甚至更薄之后，在直接进行后续工艺时很容易发生变形甚至破裂。而临时键合技术可以很好的解决这一问题，尤其是在多片晶圆堆叠中，将临时键合用于转移超薄晶圆，实现承载片的重复利用，既有利于后续工艺的进行，同时还能在很大程度上降低成本。

目前最常见的临时键合方法就是使用键合胶将器件晶圆和承载晶圆粘合在一起，然后在进行减薄和一系列背面工艺后，再使用一定方法(包括机械法、化学溶剂等)解键合。为了给晶圆边缘提供足够的承载力以保证其在减薄时不破碎，键合胶的涂抹面积会大于器件晶圆的键合面，在对临时键合的器件晶圆进行减薄后，边缘的键合胶会直接暴露出来，成为后续工艺中缺陷的来源，不利于后续制程的进行，甚至影响后续制程的机台或者产品。

发明内容

本发明的目的在于提供一种临时键合方法，以减少后续制程的缺陷来源，同时，除胶步骤放在减薄之后可降低破边风险。

为解决上述技术问题，本发明提供一种临时键合方法，包括：

步骤S1：提供器件晶圆以及承载片，并通过键合胶将所述器件晶圆和所述承载片键合形成键合片；

步骤S2：对所述器件晶圆进行减薄，并暴露出所述键合片边缘的键合胶；

步骤S3：除去暴露出的键合胶。

可选的，在所述的临时键合方法中，在所述的步骤S1中，在通过键合胶将所述器件晶圆与所述承载片进行键合的步骤之前，还包括对所述器件晶圆进行修边。

可选的，在所述的临时键合方法中，在所述的步骤S3中，所述除去暴露出的键合胶的方法为：采用化学溶剂对所述暴露出的键合胶进行洗边处理。

可选的，在所述的临时键合方法中，所述化学溶剂包括有机溶剂。

可选的，在所述的临时键合方法中，在所述的步骤S3中，在采用化学溶剂对所述暴露出的键合胶进行洗边处理之前，还包括对所述化学溶剂进行加热处理。

可选的，在所述的临时键合方法中，在所述的步骤S3中，在采用化学溶剂对所述暴露出的键合胶进行洗边处理之后，还包括去离子水清洗。

可选的，在所述的临时键合方法中，在所述的步骤S3中，通过所述键合片的旋转速度和化学溶剂的喷涂量来控制除去的键合胶的宽度。

可选的，在所述的临时键合方法中，在所述的步骤S3中，采用化学溶剂对所述暴露出的键合胶进行洗边的时间为1min～3min。

可选的，在所述的临时键合方法中，在所述的步骤S3中，所述键合片的旋转速度为100r/min～2000r/min。

可选的，在所述的临时键合方法中，所述临时键合方法还包括：

步骤S4：对所述器件晶圆进行后续的背面制造工艺；

步骤S5：将所述器件晶圆从所述承载片上解键合。

在本发明提供的临时键合方法中，通过在器件晶圆减薄之后，增加除去暴露出的键合胶的步骤，使得所述键合胶的面积不大于器件晶圆键合面积，从而减少后续制程的缺陷来源以及降低破边风险。